电子工程学系 - 中文word文档库.doc

電子工程學系及電子研究所 本文由【中文word文档库】 搜集整理。中文word文档库免费提供海量教学资料、行业资料、范文模板、应用文书、考试学习和金融理财等word文档 計畫名稱：新穎非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上的製作與研究研究者：張俊彥經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞：奈米點薄膜電晶體非揮發性記憶體近年來，薄膜電晶體(TFT)與奈米點(nanocrystal)的應用技術發展受到相當大的矚目，薄膜電晶體目前廣為液晶顯示器(LCD)產業所大量使用，而奈米點則是可以運用於在非揮發性儲存記憶體上，因其可以解決傳統上利用複晶矽浮停閘(floating gate)做為載子儲存單元的非揮發性記憶體(例如，快閃記憶體)之元件微縮問題，而本計畫將兩者結合起來，並開發新穎結構的非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上，其功能可以運用在堆疊式(stacked)的積體電路晶片、軟性電子與省電的攜帶式產品上，對於SOC(System on Chip)的開發與研究提供一個新的元件結構。 複晶矽薄膜電晶體可以在低溫下成長，對於後段製程的熱預算(thermal budget)可以有效的降低，而與奈米點結合，則可以成為新結構的記憶體元件，本計畫即利用先前的薄膜電晶體與奈米點的製作成果技術相互結合來研究此元件的特性，第一年著重於大尺寸的新穎非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上的製作與基本電性驗證，利用先前的薄膜電晶體技術與各種不同的奈米點結合(Si、Ge、NiSi、W)，並探討半導體與金屬這些不同材料特性會對非揮發性記憶體有何影響，第二年則進而會改變元件結構，利用多重通道與多重閘極，來研究新穎奈米點記憶體的寫入與抹除效應是否會提升其元件速度，且當元件通道結構微縮至奈米尺度時，邊角效應(corner effect)與奈米點的量子效應則會如何主導我們的薄膜電晶體的開關特性，是本計畫要釐清的重點之一。第三年則是著重於已製備完成的元件記憶體特性量測，本實驗團隊將進行記憶體的可靠度分析，不僅進行DC與AC的加壓量測複晶矽薄膜電晶體元件，並改變環境溫度探討儲存載子的活化能影響及儲存效率，對於容忍度(endurance)與保存能力(retention)也將深入測試，藉此製作一個高效能的非揮發性奈米點結合薄膜電晶體的記憶體元件，以確保有機會可以運用在SOC開發上與其他省電的產品上。NSC96-2221-E-009-202-MY3 (96N412) ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 計畫名稱：整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊 晶結構之開發（2/3） 研究者：張俊彥 經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞：分子束磊晶；穿透型缺陷 氮化鎵電晶體為高頻功率電晶體之明日之星，但尚須要成熟的磊晶技術才能充分展現其潛力。過去功率放大器在高功率使用時有諸如電流衰退與非理想漏電所造成的元件可靠度問題，其原因肇始於磊晶成長及磊晶結構之不良。 本計畫研究各種穿透型差排缺陷對分子束磊晶成長的鋁氮化鎵/氮化鎵異質結構的電性影響，並且最佳化的氮化鎵/氮化鎵異質結構及鋁含量的控制。從霍爾量測中觀察到電子遷移率最主要受到刃型穿透差排陷主導，刃型的穿透型缺陷可視為庫倫散射中心以至於導致電子遷移率下降，而電阻相對上升。一般來說，刃型穿透型差排會減少通道中的自由載子可稍為抑制漏電流。相反的，螺旋型差排缺陷則是蕭特基二極體反向漏電流的主要來源。我們有系統地建立各種缺陷所造成的效應並深入探討元件的電特性的分析。另一方面，為了實現在矽基板上成長氮化鎵電晶體，我們試著利用奈米柱緩衝層來成長應力完全釋放的氮化鎵薄膜，控制不同的五族和三族比例來成長不同直徑的氮化鎵奈米柱來調整最佳化氮化鎵薄膜條件。從低溫光激發和拉曼的量測結果顯示直徑80奈米的氮化鎵奈米柱能最有效的使應力釋放。 NSC 98-2221-E-009-003(98N472) ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 計畫名稱：新型高效綠能薄膜矽鍺太陽電池之研發 經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞：非晶矽(鍺)；微晶矽(鍺)；超晶格；異質接面；薄膜太陽電池 圖為傳統a-Si/TCO/μc-Si Tandem Cell，TCO的接面處有很高的復合速率與很大的接觸電阻TCO、n+、p+本身也有很大的串聯電阻，TCO更有透光率的問題，都會導致效率的降低。TCO/ p+層，。a-Si/μc-Si