霍尔效应在手机中的应用模型-终结版.docVIP

长 江 大 学 课题名称 专业班级： 应物11203班 学 号： 201206372 姓 名： 刘志勇 设计时间： 2014年5月  霍尔效应在手机中的应用模型 绪论：在手机中磁控传感器主要包括干簧管和霍尔元件，干簧管和霍尔元件都是通过信号来控制线路通断的传感器，由于干簧管易碎等原因，现在手机中很少见到干簧管传感器了，使用最多的是霍尔传感器（也叫做霍尔元件），主要用在翻盖、滑盖手机的控制电路中，通过翻盖或滑盖的动作来控制挂掉电话或接听电话、锁定键盘及解除键盘锁等。本次课程设计就是利用霍尔效应原理设计的在手机中的应用模型。 霍尔效应 金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。 所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生的横向电位差的物理现象。 当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的产生一个垂直于电子运动方向上的的作用力，从而在垂直于导体与磁感线的两个方向上产生电势差。 手机中的霍尔传感器 霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器，广泛应用于电力系统中。而在滑盖手机中，霍尔传感器件在上盖对应的方向有一个磁铁，用磁铁来控制霍尔传感器信号的输出，当合上滑盖的时候，霍尔传感器输出低电平作为中断信号到CPU，强行关闭手机正在运行的程序（例如正在通话的电话），并且锁定键盘、关闭LCD背景灯，当打开滑盖的时候，霍尔传感器输出高电平，手机解锁、背景灯发光、接通正在打入的电话。 在翻盖手机中霍尔传感器也比较容易找，它的位置一般在磁铁对应的主板的正面或者反面，只要找到磁铁就一定能找到霍尔传感器。直板手机中就没有这个设计。右图为本次设计中用到的霍尔元件3144： 霍尔效应的应用模型原理 本次我的设计模型中，用到的霍尔器件是如上图所示的3144，该集成霍尔开关的磁输入为单极磁场，即施加磁场的方式是改变磁铁和集成霍尔开关之间的距离。当磁铁接近3144时它就会输出一个低电平信号，当离开时就会输出一个高电平信号。 模型框架： 霍尔传感器 模型电路原理图： 仿真结果： 源程序： /****************************************************** 时间：2014年5月11日15:17:50 功能：开关型霍尔元件控制点阵led显示 ******************************************************/ #include reg52.h /**********************函数声明***********************/ void timer0_init (); void inter_init (); void refresh (); typedef unsigned char uint8; typedef unsigned int uint16; uint8 i = 0, counter = 0; sbit huoer = P1^0; sbit a = P2^0; sbit b = P2^1; sbit c = P2^2; /**********************led显示字符*********************/ code uint8 tab1[] = { 0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF, 0xFF,0xC3,0xE7,0xE7,0xE7,0xE7,0xC3,0xFF, //I 0xFF,0x99,0x00,0x00,0x00,0x81,0xC3,0xE7, //love 0xFF,0x99,0x99,0x99,0x99,0x81,0xC3,0xFF, //U 0xFF,0xBD,0x5A,0xFF,0xE7,0xBD,0xDB,0xE7, //^_^ 0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF } ; /**********************扫描行*********************/ code uint8 tab2[] = {0x01, 0x01, 0x02, 0x03, 0x04, 0x05, 0x06, 0x07}; /*******************主函数***************************/ void main() { P0 = 0Xff; timer0_init ()