电子工程学系专题研究(一)第三次周记-专题周记系统.PDF

電子工程學系 專題研究(一) 第三次週記 專題計畫名稱： 氮化鋁鎵 /氮化鎵異質結構電晶體為主體之酸鹼感測器 組員: 1.電子三甲 林倚詳 D0241355 2.電子三乙 魏民 D0262251 週記內容： 這周我們報告的是關於材料生長與器件製備。這次的閱讀與報告讓 我學到很多半導體產業的技術。例如化學氣相沉積，AlGaN/ GaN異 質結構的生長就是通過低壓金屬有機化學氣相沉積（ LP-MOCVD ）系 統完成的。 （化學氣相沉積：是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化 學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD 製程是將 晶圓 （基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生 化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。） 平檯隔離(The mesa isolation)是通過 Cl2/Ar混合氣體的電感耦合 的等離子體反應離子蝕刻（ ICP-RIE）系統完成的。 （反應離子刻蝕（英文：Reactive-Ion Etching ，或簡寫為RIE） 是一種半導體生產加工工藝，它利用由電漿體強化後的反應離子氣 體轟擊目標材料，來達到刻蝕的目的。氣體在低壓（真空 )環境下由 電磁場產生，電漿體中的高能離子轟擊晶片表面並與之反應。 感應耦合電漿體 RIE （inductively coupled plasma或者簡稱 ICP RIE） 在這種系統中，氣體由射頻（RF）供能的磁場所產生。電漿體的濃 度可達非常高，但是蝕刻會變得更加各向同性。一個平行板式和感 應耦合電漿體式所組合而成的 RIE也是可以實現的。這一系統中， ICP用來產生高濃度電漿體 來加快蝕刻速率，另一單獨加在晶片 （矽片）上的射頻（RF）偏壓用來產生定向電場，以達到各向異性 的效果。） 最後教授也留下了關於一組圖片的問題給我們帶回去查出並討論。