电致变色氧化钨薄膜的干法锂化研究α.PDF

第 19 卷　第 4 期 太　阳　能　学　报 V o l 19, N o4 　 1998 年 10 月 　　　　　　　　 A CTA EN ERG IA E SOLA R IS S IN ICA 　　　　　　　 　 O ct. , 1998 电致变色氧化钨薄膜的干法锂化研究 叶永红　　　　　张家雨 ( ) ( ) 南京师范大学物理系, 南京 210097 　 南京大学物理系, 南京 210093 顾培夫　唐晋发 (浙江大学光科系, 杭州 310027) 文　摘: 采用电子束加热蒸发金属L i 对WO 3 电致变色薄膜进行干法锂化, 利用 X 光电子能谱和 电化学方法分析不同锂化程度WO 3 薄膜的化学组分和电致变色性能。实验表明, 当锂化WO 3 薄 膜中L i 原子与W 原子的数 目比在 0 15 左右时有良好的可逆性和着色效率。利用该方法制备了性 能良好的单片式导 + 全固态电致变色薄膜器件 · · 。 L i Glass ITO WO L i L iF A lF V O A l 3 3 2 5 关键词: 电致变色, 薄膜, 干法锂化 0　引　言 由于全固态电致变色薄膜器件在 sm art w indow s (例如汽车工业、建筑业和太阳能利用 ) 等 上有广泛的潜在应用价值, 近来电致变色现象又重新引起许多研究机构的重视。全固态电 致变色薄膜器件按照其中传输阳离子类型可分为导 + 型和导 + 型两大类。同导 + 型相比, H L i H 导L i+ 型器件具有不依赖周围环境、记忆效应和稳定性好等一些无可比拟的优点, 是 目前全固 态器件研究和开发的重点[ 1, 2 ]。 全固态导 + 型器件按其结构可分为夹层式和单片式两类。夹层式器件制备简单, 单片式 L i 器件结构轻巧, 更适合应用在 sm art w indow s 上。目前单片式器件的制备过程中仍存在许多亟 待解决的工艺问题, 电致变色薄膜的干法锂化工艺就是其中之一。报道的干法锂化方法大多采 用加热锂的化合物如 、 和 等, 这些化合物分解出 和气体, 沉积在基底上并 L i3N L iI L iN bO 3 L i 通过扩散来实现薄膜的锂化。但这种锂化方法有可能在薄膜中引入不必要的杂质, 影响薄膜的 电致变色性能, 而且薄膜的锂化程度不易控制[ 3, 4 ]。本文提出了一种新的电致变色薄膜锂化方 法—— 电子束加热蒸发金属L i, 对不同锂化程度的氧化钨薄膜的光学、电化学和物理性质进 行了研究, 并在此基础上制备了性能优良的单片式导锂离子全固态电致变色薄膜器件。 1　实　验 W O 3 薄膜干法锂化是在DM D E 450 型真空镀膜机上通过电子束加热蒸发金属L i 条进行 - 3 的, 基底真空度为 10 。基板为 , 薄膜厚度为400 , 采用晶振监控仪 Pa Glass ITO W O 3 W O 3 nm 来控制