二极管单向导电性.pptVIP

电子爱好者之家 二极管的单向 导电性 * * * * 半导体的特性 　　1. 导体：电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 　　2. 绝缘体：电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 　　3. 半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。 半导体导电性能是由其原子结构决定的。 硅(锗)的原子结构 简化 模型 惯性核 价电子 (束缚电子) 半导体的原子结构 半导体材料：硅、锗 本征半导体的晶体结构 硅(锗)的共价键结构 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 完全纯净的半导体称为本征半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体 本征激发： 复 合： 　　自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 漂 移： 　　自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 　　在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 载流子 ： 　　自由电子和空穴 杂质半导体 一、N 型半导体 N 型 +5 +4 +4 +4 +4 +4 磷原子 自由电子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 二、 P 型半导体 P 型 +3 +4 +4 +4 +4 +4 硼原子 空穴 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 半导体二极管 PN 结及其单向导电性 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P N PN结 PN 结的形成 一、 PN 结中载流子的运动 耗尽层 空间电荷区 P N 1. 扩散运动 　　2. 扩散运动形成空间电荷区 　　电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 —— PN 结，耗尽层。 图 1.2.1 P N 3. 空间电荷区产生内电场 P N 空间电荷区 内电场 UD 　　空间电荷区正负离子之间电位差 UD —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 　　4. 漂移运动 　　内电场有利于少子运动—漂移。 少子的运动与多子运动方向相反 阻挡层 5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流 空间电荷区的宽度约为几微米 ~ 几十微米； 等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。即扩散运动与 漂移运动达到动态平衡。 电压壁垒 UD，硅材料约为(0.6 ~ 0.8) V, 锗材料约为(0.2 ~ 0.3) V。 二、 PN 结的单向导电性 1. PN 外加正向电压 又称正向偏置，简称正偏。 外电场方向 内电场方向 空间电荷区 V R I 空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。 P N 　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。 2. PN 结外加反向电压(反偏) 　　反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用； 外电场使空间电荷区变宽； 　　不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流 I ； 由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。 空间电荷区 图 1.2.3　反相偏置的 PN 结 　　反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随着温度升高， IS 将急剧增大。 P N 外电场方向 内电场方向 V R IS 　　综上所述： 　　当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态；当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　可见， PN 结具有单向导电性。