第二章电力电子器件概述 .pptVIP

第二章 电力电子器件概述 2.1 简 介 2.2 功率二极管 常用晶闸管的结构 2.3 晶闸管 内部结构：四层（P-N-P-N） 三端（A、K、G） 二、晶闸管的工作原理 特点：正向阻断 反向阻断 1、 导通条件：正向阳极电压，正向门极电压。 关断条件：必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫安）。 晶闸管工作原理 由PNPN四层半导体料 组成的四层三端器件， 三个P-N结 　P1　阳极A（Anode） 　N2　阴极K(Cathode) 　P2　引出门极G(Gate) 晶闸管的阳极电流应为: (3)关断 Ia IH(维持电流）, α 1、α2均下降 三 晶闸管的基本特性 晶闸管的开关特性 晶闸管的型号 Ｐ—普通, Ｋ—快速型，Ｓ—双向型，Ｎ—逆导型，Ｇ—可关断 KP[电流]─[电压/100][ ] 作 业 第二次 1、晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 2、晶闸管的关断条件是什么?　如何实现?　晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定? 3、温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？ 4、晶闸管的非正常导通方式有哪几种？ 2.4 可控开关的理想特性 2.5 双极结型晶体管和达林顿管 双极结型晶体管和达林顿管 2.6 电力场效应晶体管（MOSFET） 功率场效应晶体管（P-MOSFET） 1、结构 Ⅰ 漏源电阻限制线 Ⅱ 最大漏极电流限制线 Ⅲ 最大功率限制线 Ⅳ 最大漏源电压限制线 2.7 门极可关断晶闸管（GTO） 门极可关断晶闸管 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。 门极可关断晶闸管 工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用图所示的双晶体管模型来分析。 门极可关断晶闸管 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： 门极可关断晶闸管 GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 门极可关断晶闸管 开通过程：与普通晶闸管相同 关断过程：与普通晶闸管有所不同 储存时间ts，使等效晶体管退出饱和。 下降时间tf 尾部时间tt —残存载流子复合。 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。 门极负脉冲电流幅值越大，ts越短。 作业 第三次 用万用表怎样区分晶闸管阳极(A)、阴极(K)与门极(G)？判断晶闸管的好坏有那些简单实用的方法？ 2.8 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 绝缘栅双极晶体管 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT） GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。 1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 绝缘栅双极晶体管 1) IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 2.9 其它功率开关器件和模块 1、 MOS控制晶闸管 2、 静电感应晶体管SIT 3、 静电感应晶闸管SITH 4、 集成门极换流晶闸管（IGCT） 5、 集成功率模块 2.9 其他功率开关器件 2.9.2 静电感应晶体管SIT 漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管。简称SIT。1971年由日本的西泽润一首创。70年代中期，它作为音频功率放大器件在日本得到迅速发展。 2.9.2 静电感应晶体管SIT SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒控制。在漏极上加一定电压后，势垒下降，源漏电流开始流动。漏压越高，源漏电流越大，亦即源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的?。 2.9.2 静电感应晶体管SIT SIT的特点是频率覆盖范围宽、功率覆盖范围大，广泛应用于高保真音响、电源、电机控制、通信机、雷达、导航和各种电子仪器中。同双极型晶体管相比，SIT具有线