华南理工半导体物理—第三章.pptVIP

第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 费米分布与玻耳兹曼分布 3.2 半导体载流子的统计 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度及费米能级随温度的变化 3.6 简并半导体的载流子浓度 本章重点 计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子浓度 探讨半导体中载流子浓度随温度变化的规律 计算载流子浓度须掌握以下两方面的知识 允许的量子态按能量如何分布 电子在量子态中如何分布 热平衡态 一定的温度下，两种相反的过程（产生和复合）建立起动态平衡 费米分布函数 服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计规律 K0玻尔兹曼常数，T绝对温度，EF费米能级 费米能级的物理意义：化学势 当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起的系统的自由能的变化。 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级。 玻耳兹曼分布函数 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 费米分布与玻耳兹曼分布 3.2 半导体载流子的统计 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度及费米能级随温度的变化 3.6 简并半导体的载流子浓度 状态密度 状态密度 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算单位能量范围所对应的k空间体积； 计算单位能量范围内的量子态数； 求得状态密度。 k空间中量子态的分布 对于边长为L的立方晶体 kx = nx/L (nx = 0, ±1, ±2, …) ky = ny/L (ny = 0, ±1, ±2, …) kz = nz/L (nz = 0, ±1, ±2, …) k空间状态分布 状态密度 导带底E(k)与k的关系 能量E~(E+dE)间的量子态数 可得 代入可得 导带底附近状态密度 对于实际半导体材料 设导带底的状态有s个，根据同样方法可求得 其中 mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6 mdn=1.08m0 对于Ge，s=4 mdn=0.56m0 同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度 其中 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 同理 载流子浓度乘积n0p0 热平衡状态下，对于一定的半导体材料，浓度积只由温度决定，而与所含杂质无关。 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 费米分布与玻耳兹曼分布 3.2 半导体载流子的统计 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度及费米能级随温度的变化 3.6 简并半导体的载流子浓度 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 费米分布与玻耳兹曼分布 3.2 半导体载流子的统计 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度及费米能级随温度的变化 3.6 简并半导体的载流子浓度 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 费米分布与玻耳兹曼分布 3.2 半导体载流子的统计 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度及费米能级随温度的变化 3.6 简并半导体的载流子浓度 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 费米分布与玻耳兹曼分布 3.2 半导体载流子的统计 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度及费米能级随温度的变化 3.6 简并半导体的载流子浓度 虽然在导带在存在大量可允许的能态，然而对本征半导体而言，导带中却不会有太多的电子，即电子占据这些能态的几率很小。同样，在价带也有大量的可允许能态，但大部分被电子占据，其几率几乎为1，只有少数空穴。因此费米能级的位置接近禁带的中间(即EF低于EC好几个kT)。 假如将导带底部定为EC而不是零，则导带的电子浓度为 令 则 所以 在室温下（300K），对硅而言NC是2.86×1019cm－3；对砷化镓则为4.7×1017cm-3。 同理，价带中地空穴浓度p为 在室温下，对硅而言NV是2.66×1019cm-3；对砷化镓则为7.0×1018cm-3。 本征载流子浓度ni:对本征半导体而言，导带中每单位体积的电子数与价带每单位体积的空穴数相同,即浓度相同，称为本征载流子浓度，可表示为n＝p＝ni 本征费米能级Ei：本征半导体的费米能级。 则： 在室温下，第二项比禁带宽度小得多。因此，本征半导体的本征半导体的本征费米能级Ei相当靠近禁带的中央。 本征载流子浓度 所以： 即： 其中Eg=EC-E