深入探讨静电保护的重要性.PDFVIP

深入探討靜電保護的重要性 作者：星曜半導體 (VALORSTAR SEMICONDUCTOR)行銷副總 林居敬 今日終端產品廠商均面臨到增加產品特性、減少產品尺寸的趨勢 ；當產品具備更多功能時，相 對I/O port 隨之增多，導致靜電更易干擾系統或是損壞IC 。此外，隨著市場上消費性電子和可 攜式產品體積越做越小，對於主板面積的要求亦日趨小型化及高密度。半導體元件的發展也隨 之變化，以小型化、高密度、功能複雜為其藍圖。 CMOS IC 製程為增加其速度、整合度、及單位成本，元件尺寸越做越小。雖經濟效益提高但也 伴隨著信賴度的問題。由於利用先進製程技術製造的 IC 電路內氧化層比較薄，閘極(Gate)氧化 層更易受到損害。在深次微米互補式金氧半導體(CMOS)製程，因為閘極氧化層的低崩潰電壓， 且閘極氧化層的崩潰電壓和 PN Junction 的崩潰電壓的差值愈來愈小，使得靜電保護電路的驅 動電壓範圍也隨之愈來愈小 ，且因為元件尺寸變的更小，對於靜電護能力下降，大大增加失效 的機率。這也是為什麼近來年靜電問題越來越受到重視 ；ESD 保護對高密度、小型化和複雜功 能的電子設備來說具有重要意義。 何謂ESD ？其種類為何？ ESD 是Electrostatic Discharge 的縮寫 ，即靜電放電 ；ESD 對電子產品的傷害一直是不易解決的 問題。一般受到ESD 作用時會出現不穩定的狀況，輕微只需重開機即可；嚴重可能導致電子產 品內的電子元件毀損。 而且靜電無所不在，多是人為造成，例如：電子元件製造、組裝、搬運、儲存(請參考表一) 。表 一描述在幾個生產製造環境下 ，不同的個體及動作大致會產生多少靜電 ；在乾燥的環境下加上 空氣的流動造成分子互相摩擦，也會導致靜電作用更加顯著。 表一 各環境靜電值 依放電模式的不同 ，ESD 又通常可以分為三種模式(請參考表二) ：人體放電模式(Human Body Mode ，HBM) 、機器放電模式(Machine Mode ，MM) 、元件充電模式(Charged Device Mode ，CDM) 。 表二 靜電模式 上述三種模式的靜電放電對於半導體製程以及電子產品組裝均極重要 ，其中尤以人體放電模式 所產生的電壓對電子元件的傷害最嚴重。因此業界對電子產品防護靜電的規格要求日益嚴謹， 即便半導體電子元件出廠時已通過零件等級(Chip Level)靜電測試規格，組裝到成品後仍會再用 系統等級(System Level)的規格持續檢測。 ESD 測試規格 在半導體業界過去幾乎皆以美軍標準MIL-STD 883 的Method 3015 (ANSI/ESD STM5.1)規定的 人體靜電放電模式來作為檢驗規範。近年來IEC (International Electro-technical Commission)所制 定的 EMC Basic Standards 中包含一項靜電測試規範IEC-61000-4-2 ，對於系統產品的耐靜電程 度及測試方式皆有詳盡的描述，也受到各界的認可而成為成品系統端靜電測試的依據。 以上兩種標準主要差異在儲能的電容值及放電電阻值的不同(參考表三) ，因此其放電能量與靜電 電流峰值也會有很大的差異 。 表三 MIL-STD 883 與IEC-61000-4-2 主要差異 對於晶片等級的靜電規格大致如表四 ：標準等級僅屬於能接受範圍，絕大部分的客戶皆是以 SUPER 等級做為評鑑各家靜電保護元件的門檻。 表四 晶片等級的靜電規格 IEC 61000-4-2 將ESD 放電電壓細分為4 個等級，分別是透過330Ω電阻釋放2kV 、4kV 、6kV 和8kV 電壓。如今的電子系統大都要求至少可抵抗3 級或4 級ESD 電壓。以第4 級為例，最大 ESD 電流可達30A ，是晶片級ESD 電流的20 多倍。如果依上述的晶片上ESD 保護標準計算， 很明顯，下一代積體電路上哪怕只出現一次放電，都會面臨災難性損壞的風險。 與其他過壓現象相較，靜電放電是一種非常快的瞬態脈衝 ；IEC 61000-4-2 將其上升時間定為 700ps 到 1