极紫外投影光刻接触孔掩模的快速仿真计算.pdfVIP

第 32卷 第 7期 光 学 学 报 Vo1．32，No．7 2012年 7月 ACTA OPTICA SINICA July，2012 极紫外投影光刻接触孔掩模的快速仿真计算 曹宇婷 王向朝 步 扬 ／ 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光 电技术实验室，上海 201800、 ＼ 中国科学 院研究生 院，北京 100049 ／ 摘要 采用一个极紫外投影光刻掩模衍射简化模型实现 了三维接触孔掩模衍射场 的快速仿真计算 。基于该模型， 得到了接触孔掩模衍射场分布的解析表达式，并对光刻成像时的图形位置偏移现象进行了解释和分析。简化模型 中，掩模包括吸收层和多层膜两部分结构，吸收层 的透射利用薄掩模修正模型进行计算 ，多层膜 的反射近似为镜面 反射。以周期 44nm、特征尺寸分别为 16nm和 22nm 的方形接触孔为例 ，入射光方 向发生变化时 ，该简化模型与 严格仿真相 比，图形特征尺寸误差小于 0．4nm，计算速度提高了近 100倍 。此外 ，考虑到多层膜镜面位置对 图形位 置偏移量的影响，得到了图形位置偏移量的计算公式，其计算结果也与严格仿真相一致。 关键词 光栅衍射 ；极紫外投影光刻 ；薄掩模模型；严格 电磁场仿真 中图分类号 0436．1 文献标识码 A doi：10．3788／AOS2O1232．0705001 FastSimulationM ethodforContactHoleM ask in Extreme-UltravioletLith0graphy CaoYuting · WangXiangzhao BuYang · LaboratoryofInformationOpticsandOpt—ElectronicTechnology，ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics，1 I ChineseAcademyofSciences，Shanghai201800，China l 【 GraduateUniversityofChineseAcademyofSciences，Bering100049，China J Abstract Thispaper proposes afastsimulation method for the threedimensional (3D) contacthole mask in extreme—ultravioletlithography．Using the mask diffraction simplified model，an analyticalexpression of the diffractionspectrum ofthecontactholeisgiven，andtheoryanalysisofthepatternshifteffectisperformed．The mask in the modelincludestwo parts，the absorberand the multilayer structure． The absorbertransmission is calculatedusingthemodified thinmaskmodel，andthemultilayerreflection isapproximatedasmirrorreflection． Taking16am and22nm contactholeswithapitchof44nm asexamples，thecritica1dimensionalerrorsofthemode1 arebel