共发射极放大电路各元件作用.pptVIP

4. 低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。常用毫西 (mS，mA/V)。 uGS /V iD /mA Q PDM = uDS iD，受管子最高工作温度限制。 5. 最大漏极电流 IDM 6. 最大漏极功耗 PDM O 为管子工作时允许的最大漏极电流。 7. 漏源击穿电压 U（BR）DS ：漏源间能承受的最大电压。 8. 栅源击穿电压 U（BR）GS ：栅源间能承受的最大电压。 二、场效应管的主要特点及使用注意事项 特点： FET为电压控制型器件，栅极基本无电流，输入电阻高，常用做高输入阻抗输入级。 多 子导电，受温度、辐射等外界因素影响小。 噪声比BJT小（尤其是JFET） 。 MOS管制造工艺简单，体积小，功耗小，易集成。 使用注意事项： MOS管衬底与源极通常接在一起。若需分开，衬源间电压须反偏（NMOS uGS 0， PMOS uGS 0 ）。 MOS管输入电阻极高，使栅极感应电荷产生高压造成管子击穿。为避免栅极悬空及减少感应，储存时应将三个极短路；焊接时，用镊子短路三个极，并将电烙铁断电后焊接；不能用万用表检测，只能接入测试仪后再去掉短路线测试，取下前也应先短路。 JFET可在栅源极开路情况下储存 和用万用表检测。 MOS管栅极过压保护电路 ? 2.4.4 其它类型场效应管* 一、砷化镓金属 – 半导体场效应管 MESFET (Mental Semiconductor FET) 材料: GaAs 符号: d g s 特点: 为耗尽型器件，一般只制成N沟道，特性与JFET相似。 开关时间特别短，导通电压很小。 用途: 微波电路，高频放大电路，和高速数字逻辑电路。 二、VMOS 场效应管 因工艺上利用光刻沿垂直方向刻出一个 V 型槽而得名。 特点: 为大功率管，耐压可达1000 V以上，最大连续电流高达200 A。 非线性失真小、噪声较低、温度稳定性较高、输入电阻高、驱动功率小。 极间电容小，工作频率高，用于高频电路或开关式稳压电源。 2.4.5 FET的偏置电路及静态分析 +VDD Rd C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? Rg Rs g s d 1. 工作原理 一、 自偏压电路 栅极电阻 Rg 的作用： (1)为栅偏压提供通路 (2)泻放栅极积累电荷 源极电阻 Rs 的作用： 提供负栅偏压 漏极电阻 Rd 的作用： 把 iD 的变化变为 uDS 的变化 uGS = uG – uS = – iDRs 2. 静态工作点的估算 UGS = – IDRs UDS = VDD– ID（ Rs+Rd） 二、分压式自偏压电路 调整电阻的大小，可获得： UGS 0 UGS = 0 UGS 0 RL +VDD Rd C2 Cs + + + uo ? C1 + ui ? Rg2 Rs g s d Rg1 Rg3 2.4.6 FET放大电路的小信号模型分析法 一、FET 的简化小信号模型 从输入回路看，iG ? 0，故认为 g 、s 极间开路； 从输出回路看，漏极电流受栅、源电压控制，有： 对于正弦量： 小信号模型 s Id gmUgs + Ugs ? + Uds ? g d 二、用小信号模型分析 FET 共源极放大电路 RL +VDD Rd C2 Cs + + + uo ? C1 + ui ? Rg2 Rs g s d Rg1 Rg3 RL RD + Uo ? + Ui ? Rg2 g s d Rg3 Rg1 + Ugs ? gmUgs Id Ii RS 有 CS 时： 无 CS 时： Ri、 Ro 不变 例 已知 gm = 0.7 mS，求电压放大倍数、输入和输出电阻。 47 k? RL Rd C2 Cs + + + uo ? C1 + ui ? Rg2 g s d Rg1 Rg3 2 k? 30 k? 2 M? 10 M? 10 k? +18V Rs 解： 耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。 2.5 多级阻容耦合放大电路 耦合：即信号的传送。 多级放大电路对耦合电路要求： 1. 静态：保证各级Q点设置 2. 动态: 传送信号。 第一级 放大电路 输 入 输 出 第二级 放大电路 第 n 级 放大电路 … … 第 n-1 级 放大电路 功放级 要求：波形不失真，减少压降损失。 设: ?1=?2=50, rbe1 = 2.9k? , rbe2 = 1.7 k? 2.5.1 典型电路 前级 后级 +UCC RS 1M (+24V) R1 20k 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE