Al-2N高共掺p型ZnO电子结构和红移效应的第一性原理研究.pdfVIP

助 能 财 料 2010年第8期(41)卷 A1—2N高共掺 P型ZnO电子结构和红移效应的第一性原理研究 侯清玉，赵春旺，李继军 (内蒙古工业大学 理学院物理系 ，内蒙古 呼和浩特 010051) 摘 要 ： 基于密度泛函理论框 架下的第一性原理平 群 ，对称性为 C6V一4，其晶胞 由氧的六角密堆积和锌的 面波超软赝势方法，对纯的和 Al一2N高共掺 ZnO超胞 六角密堆积反向套构而成。笔者采用 3个模型进行计 的几何结构优化、能带分布、总态密度分布、分波态密 算 ，分别为纯的 ZnO(3×2×1)超 晶胞；2N—A1共掺 度分布、Mulilken电荷分布和吸收光谱 的计算。比较 ZnO超晶胞 (3×2×1)的模型；2N—Al共掺 Zno超晶 计算结果表明，Al一2N 高共掺后 ZnO 电子结构发生 了 胞 (2×2×1)的模 型。在 ZnO超 晶胞结构 中 1个 Al 较大的改变，导电类型转化为 P型；轨道杂化增 强，电 原子取代 1个 Zn原子 ，2个氮原子分别取代位于 Al 荷转移特征明显；间隙宽度减小，吸收光谱发生 了红移 的最近邻位置 ，与 Al形成 N(1)一Al原子对 ，另一个 N 效应，并且 随着 Al和 N掺杂的相对原子浓度越大红 (2)原子位于 Al的次近邻位置。根据能量最低原理 ， 移效应越显著，计算结果和实验的变化趋势相一致。 这时结构最稳定l8 。这样 ZnO超晶胞结构 (2×2× 关键词 ： 高共掺 ZnO；电子结构 ；红移 ；第一性原理 1)的Al和 N总的掺杂浓度为 18．75 ，而 (3×2×1) 中图分类号 ： TN302；0646．54 文献标识码 ：A 的Al和 N总的掺杂浓度为 12．5 。 文章编号：1001-9731(2010)08-1394—04 2．2 计算方法 本文采用密度泛函理论广义梯度近似下的平面波 1 引 言 赝势方法[】¨]，分别计算对纯的和 2N-Al高共掺 ZnO ZnO是宽禁带直接带隙半导体材料 ，由于其特殊 超晶胞模型的能带分布 、总态密度分布、分波态密度分 的物理性能，低的制备成本和广阔的应用前景，而受到 布、Mulliken电荷分布和吸收光谱进行了研究。计算 越来 越 多 光 电材 料研 究者 的关 注u]。 日本 的 采用非 自旋极化处理，能量截断半径设为 340eV。计 Yamamoto 突破传统 的思维框架 ，通过理论计算指 算时各原子 的价 电子分别为 O 的 2s。2p 层，N 的 出，ZnO中同时掺入施主元素和受主元素可以降低材 2s。2p。层 ，Zn的3d∽4s 层 ，Al的 3s3p 层 。 料的Madelung能。施主元素和受主元素的最佳原子 3 结果与讨论 数比 l：2，例如采用 Ga—N共掺后，可以使 ZnO 晶体 的Madelung能 降低 11．27eV。根据这一思路，采用 3．1 优化结果 Ga-N共掺制备出了载流子浓度较高的P型ZnO薄 3．1．1 纯 ZnO优化结果 膜 ]。目前用第一性原理来研究共掺不 同双原子 纯 ZnO的优化结果 ：晶胞参数 口一6=0．3296nm， ZnO的理论计算也很受关注。张金奎等用第一性原理 c一0．5317nm，c／a=1．613。本文计算结果和实验结 研究了A1—2N共掺 znO电子结构和P型传导特性I6]。 果 [“]：a一6—0．3258nm，f一0．5220nm，c／a=1．602基 段满益等用第一性原理研究了过渡金属与氮共掺 ZnO 本相