Na,N双受主共掺杂p型ZnO第一原理研究.pdfVIP

解晓宇 等 ：Na、N双受主共掺杂 P型 ZnO第一原理研究 Na，N双受主共掺杂 P型ZnO第一原理研究 解晓宇，孙慧卿，王度阳，许 轶 ，韩世洋，肖永能 (华南师范大学 光电子材料与技术研究所 ，广东 广州 510631) 摘 要： 采用基于密度泛函理论 的第一原理平面波 较难制备 ，原因是 ZnO本身存在氧空位和锌填隙，对 超软赝势法，对六方纤锌矿结构 ZnO晶体，Na、N分别 受主杂质会产生很高的 自补偿效应 ，而且受主杂质一 掺杂 ZnO 晶体 ，Na、N共掺杂 ZnO 晶体的几何结构 般具有高的电离能和很低 的固溶度 ，导致难 以实现 P 进行 了优化 ，其 中Na、N共掺杂又分为 Na、N相连和 型转变[3“]。目前 国际上报道的P型 ZnO掺杂有单受 分开两种情况 ，以此为基础计算得到 了这几种情况下 主掺杂 ，例如 I族元素 I Na、K、V族元素 N，P，As， ZnO晶体的能带结构，总态密度 和分波态密度 。结果 以及 IB族元素 Ag、Au、Cu等，但这些掺杂很难获得 表明，Na、N共掺得到的P型 ZnO 比单掺要好 ；两种 稳定的P型ZnOE 。因而 ，人们对共掺杂进行了广泛 共掺情况 中Na、N分开会 比Na、N相连 P掺杂效果更 的研究。其中包括 N与施主元素 (Ga、A1、In、B)Eg, 好 。 共掺 ，以及双受主共掺 ，如 N—As、Na—Li、Li—N等 。 关键词 ： 光电子学 ；ZnO 电子 结构 ；第一原理 ；P型 Ii掺杂很容易形成施主缺陷，Na相对于 Li而言，受主 ZnO；Na、N共掺杂 电离能更低 ，更易形成替代位受主缺陷，因此被认为更 中图分类号： 0649：O471 文献标识码 ：A 适合做 P型 ZnO掺杂，所 以Na—N双受主共掺杂可能 文章编号 ：1001-9731(2012)02—0257-04 是一种更好的实现 P型 ZnO的途径。目前关于 Na—N 共掺杂的实验已有报道l1，而对于利用第一性原理对 l 引 言 Na—N双受主共掺 ZnO体系的理论计算和分析，到 目 ZnO是一种 Ⅱ一Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体材料 ， 前为止还未见有报道 。本文采用基于密度泛函理论的 室温下禁带宽度约为 3．37eV[1]，激 子束缚 能高达 平面波赝势法 ，对 Na、N分别掺杂 以及 Na—N共掺杂 60meV。ZnO具有低介电常量 、大光电耦合率以及优 ZnO体系电子结构进行了分析。 良的压 电、光电特性 ，具有 良好的化学稳定性和高 的晶 2 模型构建与计算方法 体质量 ，并且具有无毒 、原料丰富、价格低廉等优点，因 而被广泛应用于太 阳能 电池、液 晶显示器、气体传感 2．1 模型构建 器 、紫外及蓝光半导体激光器 以及透 明导 电薄膜 [2等 理想 ZnO为六方纤锌矿结构 ，属 P63mc空间群 ， 方面。 对称性为 C6v一4，晶胞 由氧和锌两个六方密堆积结构 为了制备 ZnO基光 电器件 ，我们需要得到性能稳 格子沿 C轴反向套构而成 。超晶胞体结构模型如图1。 定的n型和 P型 Zno。研究表 明，两者之 中P型 ZnO j1【 ·- jl【’i一 r-