Ni掺杂CdS电子结构和光学性质的第一性原理计算.pdfVIP

· 130 · 材料导报B：研究篇 2016年 3月(下)第3O卷第3期 Ni掺杂 CdS电子结构和光学性质的第一性原理计算 郭艳蕊，严慧羽，宋庆功，陈逸飞，郭松青 (中国民航大学理学院，天津 300300) 摘要 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法，对纤锌矿结构CdS和CdS：Ni几何结构、能带 结构、电子态密度和光学性质进行 了系统的研究。计算结果表明，Ni原子掺入CdS后晶格常量均减小，晶格发生局 部畸变；Ni的掺杂在费米面附近引入杂质能级，极大地提高了CdS系统的导电性。光学性质的计算结果显示，掺杂 导致在可见光区域出现了强度微弱的新吸收峰。所有结果表明，Ni掺杂CdS体系是极具潜力的透明导电材料。 关键词 第一性原理 Ni掺杂CdS 电子结构 光学性质 中图分类号：0471 文献标识码 ：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2016．06．031 First—principlesStudyonElectronicStructureandOpticalPropertiesof Ni—dopedCdS GUOYanrui，YAN Huiyu，SONGQinggong，CHEN Yifei，GUOSongqing (CollegeofScience，CivilAviationUniversityofChina，Tianjin300300) Abstract Geometricstructure，bandstructure，electronicdensityandopticalpropertiesoftheNi-dopedandin— trinsicCdSwerestudiedbyusingthefirst-principlescalculationmethod．Resultsshow thatNi-dopedCdScanbefabri— catedinexperiments．The1atticeconstantsdecreased，resultedfrom a1ocal1atticedistortion．TheimpurityleveljSin— troducedinthevicinityoftheFermilevelwhenNidopingCdS．Nidopantcanenhancetheconductivitysignificantly． Theopticalpropertiesoftheresultsshow thatNidopantleadstOanew absorptionpeakinthevisibleregiom Allthe resultsshow thattheNi-dopedCdSisaverypromisingtransparentsemiconductor． Keywords first-principles，Ni-dopedCdS，electronicstructure，opticalproperties CdS要 比立方结构的CdS更加稳定；CdS的固相稳定性与其 0 引言 共价电子结构密切相关，对熔点起主要作用的是最强键的共 硫化镉(CdS)是 Ⅱ一Ⅵ族的宽带隙 (2．58eV)半导体材 价电子对数。因此，本工作深入研究纤锌矿结构CdS掺杂的 料，由于具有优 良的光电性能，一直受到人们的极大关注，如 晶体结构、电子结构及光学性质是其压电、光电等特性不可 CdS薄膜在传感器、太阳能电池、光探测器、激光材料、光波 缺少的理论基础，而且对于CdS材料在高灵敏度光传感器、 导器件和非线性集成光学器件等领域已有较多的应用_】]。 太阳能电池及发光二极管等的实验研究及潜在应用同样具 目前，人们对 CdS进行了大量的实验