STO铁电电容器隧穿电阻的影响.pdfVIP

王英龙 等：薄膜厚度对 PZT／STO铁 电电容器隧穿电阻的影响 薄膜厚度对 PZT／STO铁 电电容器隧穿电阻的影响 王英龙，刘 林，张鹏程，梁伟华，丁学成，褚立志，邓泽超 (河北大学 物理科学与技术学院，河北 保定 071002) 摘 要： 结合 Landau—Devonshire 自由能理 论和 晶 STO介质层 ，从而有效增强隧穿 电阻；wu等口考虑 格模型，研 究 了PbZr…TiO3(PZT)／SrTiO。(STO) 了两层介质之间分布的空间电荷对 BTO／STO复合 复合薄膜 中PZT和 STO厚度对铁 电隧道结极化强 势垒铁电隧道结隧穿电阻的影响，发现增加空间电荷 度 、电导和隧穿电阻等的影响。模拟结果表明，随着层 面密度可以增大隧穿电阻率 。虽然 Zhuravlev等l1和 数增加 ，极化强度增大；平均极化强度随着 PZT厚度 Wu等 分别通过加非极化介质层和考虑空间电荷来 增加而增强，随着 STO厚度增加而减弱；随着PZT和 增大隧穿电阻率 ，但是找到合适 的势垒和电极材料来 STO厚度增加 ，电导减小，隧穿电阻率增加 ；当厚度变 获得更大隧穿电阻是更迫切需要解决的问题。 化相同时，PZT 引起 电导的变化大 ，隧穿电阻率变化 本文采用 PZT 和 STO 组成 复合 薄膜 ，选 用 小。考虑薄膜面积的影响，当薄膜面积从无限大变成 La…SrCuO (LSCO)电极，研究了复合薄膜 中PZT 有限大时，极化强度、电导和隧穿电阻均减小。 的厚度和 STO的厚度各 自对铁电隧道结极化强度、电 关键词 ： 铁电电容器 ；隧穿效应 ；Landau模型；PZT 导和隧穿 电阻等的影响。 中图分类号： O469 文献标识码 ：A 2 理论基础 文章编号 ：1001—9731(2013)03—0363—04 铁电电容器是 由电极 、夹在 电极 中间的介质材料 1 引 言 和下电极下面 的衬底组成 ，本文选用 PZT和 STO 复 近年来 ，铁电铁磁材料有望使高密度动态随机存 合薄膜作为介质材料进行理论模拟 ，。和 分别是上 储器的运算速度产生质的飞跃[1]。Gajek等 从理论 下电极的屏蔽电荷面密度且遵循 电荷守恒定律，a和 b 和实验上论证了四逻辑态多铁存储器的可行性 ，Yang 分 别 是 STO 和 PZT 的 厚 度，如 图 1所 示 。C 等_4提出了八逻辑态存储器的设想。另一方面 ，为了 一0．3905nm和C2===0．3984nm 分别是 STO和 PZT层 达到兆兆位的存储密度 ，必须将 电容器的尺寸减小到 沿 方向的晶格常数。由于铁 电材料和衬底之间存在 纳米量级 。电子穿过纳米量级 的势垒 ，必须考虑量子 适配位错，原子偶极矩 垂直于衬底，因而薄膜极化强 度 P—p／abC沿 方向，a 、b、c是薄膜晶格常数。 隧穿效应，而利用铁电超薄膜设计新型隧道结，可以大 幅度提高隧道结隧穿阻值状态 ，从而减小纳米量级 电 b 容器的漏电流 。Gruverman等口。。研究了室温下 20nm BaTiO。(BTO)铁电隧道结的隧穿电阻效应 ，发现极化 反转前后隧穿 电阻率会改变两个数量级 。Burton O 等l1探究了极化反转下 ，La一SrMnO。电极和 BTO 势垒组成的铁 电隧道结的巨隧穿 电阻效应，发现靠近