利用晶硅切割废砂浆制备 SiC 粉体.pdfVIP

·96 · 材料导报B：研究篇 2015年6月(下)第29卷第6期 利用晶硅切割废砂浆制备 SiC粉体 杨昱桢，向道平 ，何雨翔 (海南大学材料与化工学院，热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室，海 口570228) 摘要 以光伏产业晶硅切割废砂浆为主要原料，通过真空碳化法制备了SiC粉末。在通过物理和化学方法测 定废砂浆组分含量的基础上，确定了初始原料 si／c配比。随后，利用XRD和 SEM分别研 究了真空热处理温度、无 机碳源种类等对所制备粉末的物相和组织的影响，产物粉末的粒径分布范围通过激光粒度仪测试。研究表明，在 900~I100℃温度范围，随着反应温度的升高，硅粉与活性炭的碳化反应越来越完全，并在I100℃完全生成了SiC粉 末。继续升温，X射线衍射峰的强度逐渐升高，SiC产物粉末的粒度越来越大。此外，不同碳源在相同条件的碳化反 应结果表明，活性炭作为碳源比石墨效果更佳。 关键词 晶硅废砂浆 真空碳化 SiC粉末 XRD SEM 中图分类号：TB321 文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2015．12．021 PreparationofSiCPowderfrom CrystallineSiliconCuttingW asteM ortar YANG Yuzhen，XIANG Daoping，HEYuxiang (KeyLaboratoryofAdvancedMaterialsofTropicalIslandResourcesofMinistryofEducation，CollegeofMaterial andChemicalEngineering，HainanUniversity，Haikou570228) Abstract SiC powderwaspreparedfrom crystallinesiliconcuttingwastemortarinphotovoltaicindustrybythe methodofvacuum carbonization．TheproportionofSi／Cwasdeterminedonthebasisoftestresultofcomponentscon— tentinwastemortarbyphysicalandchemica1methods．Afterthat，theinfluencesofvacuum heattreatmenttempera— ture，inorganiccarbonsourcetypesonthephaseandstructureofthepowderwerestudiedbyusingXRD andSEM． Particlesizedistributionwastestedbylaserparticlesizeinstrument．Researchesshowedthat，withtheincreaseofcar— bonizationtemperatureintherangeof9OO一 1100℃ ，thereactionofSiandactivatedcarbongraduallyprogressed，and completelyreactedat1100℃．Whenthetemperaturecontinuedtoberaised，X-raydiffractionpeakintensitygradually increased，andparticlesizeofSiCpowderrose．Inaddition，carbonizationreactionwithdifferentcarbonsourcesunder thesameconditionsinferredthatactivatedcarbonactedbetterasacarbonsourcethangraphite． Keywords crystallinesiliconwastemortar，vacuum ca