原位生成SiC-MoSi_2-TiSi_2涂层的工艺条件研究.pdfVIP

焦更生 等 ：原位生成 SiC-MoSi一TiSi。涂层 的工艺条件研究 原位生成 SiC—MoSi2一TiSi2涂层的工艺条件研究 焦更生 。，李贺军 ，卢国锋 (1．渭南师范学院 复合材料工程中心，陕西 渭南 714000； 2．西北工业大学 碳 ／碳复合材料工程技术研究中心 ，陕西 西安 710072) 摘 要 ： 用一次包埋法制备 了 c／c复合材料 SiC— 加 ，复合材料 的高温抗弯强度大为增加口 。 MoSi一TiSi复相 陶瓷 内涂层，对制备涂层的影响 因素 另据报道，制备的c／c复合材料 Mo—Si—Ti合金涂 进行 了分 析。最 终 确 定 的制 备 条 件 为 制 备 温 度 层结构为在耐火相的 T ~。．。Mo。．。~。．。Si的周 围的 2573K，保温 时间为 2h，MoSi2和 TiC 的配 比为 5：2。 裂纹完全被 MoSi、SiTi 。5、TiSi2密封 ，阻挡 了氧 结果表明c／c复合材料表面SiC—MoSi。一TiSi复相陶 气的渗透，可在 1775。C氧化 2h而无明显变化_1。 瓷涂层在 1500℃有氧环境 下氧化 49h，失重仅仅 因此，设计在 网状 的SiC结构 中填充高性能的 2．189／6，失重率为 1．17×1O g／(cm ·h)，具有 良好 MoSi和微量的TiSi涂层 ，它在高温氧化时，生成 的 的抗氧化性 能。 玻璃态的 siO 可 以愈合涂层在气体逸 出时留下的微 关键词 ： 原位生成 ；涂层 ；SiC—MoSi一TiSi2 孔。TiSi是一种理想的抗氧化过渡层或粘结层材料 ， 中图分类号： TQ165 文献标识码 ：A 其热膨胀系数 (CTE)和 c／c复合材料基体相差不大 ， 文章编号 ：1001—9731(2011)10—1847—04 可以有效防止基体碳的向外扩散口 。氧化时，TiO 的 生成 ，其体积有所膨胀 ，可以封闭SiC基体因氧化而产 1 引 言 生的微裂纹 ，提高涂层的抗氧化效果 。 c／c复合材料是 目前所知的唯一一类高温下强度 综合 SiC、MoSi和 TiSi。的特点 ，以 Si、C粉和 随温度的升高不但不降低 ，反而有所提高的材料 ，是一 TiC等为原料 ，采用原位生成 SiC、TiSi。的方法制备 了 种理想的航天航空高温材料。但其极易氧化 ，在氧化 c／c复合材料 SiC-MoSi一TiSi。复相 陶瓷涂层，确定 了 环境 中的起始氧化温度仅 50O℃左右_】]。作为高温 内涂层的制备条件 ，考察了涂层在高温氧化环境 中的 结构材料 ，常在其表面涂覆抗氧化陶瓷涂层。在 c／c 防护作用 。 复合材料采用的陶瓷涂层体系 中，SiC陶瓷涂层具有 2 实 验 较好 的抗氧化 效果 ，理论上具备 1700。C的防护 能 力73,43。但 由于 SiC与c／C复合材料在热膨胀系数上 2．1 涂层制备 的差异 ，涂层有产生裂纹或开裂等缺陷的倾 向，使 SiC 实验所用 c／c复合材料为本文制作 的二维 c／c 涂层 的实际防护能力受到限制[5]。 复合材料 ，尺寸为 10mm×10mm×10mm。先用 100 MoSi虽具有 1800℃氧化气氛下的高温稳定性 ， 砂纸将其棱角磨去 ，再用 400 砂纸对试样进行打磨抛 因与 c／c复合材料 (1．2×1O ／K)的热膨胀系数 (约 光处理。将打磨好 的试样用无水乙醇清洗干净 ，然后 为 8．3×10 ／K)相差太大，也不宜单独作为防护涂 放入烘箱中，100℃下烘干 1～2h备用。包埋时，选择 层_6]。包埋法制备 的MoSi。一SiC涂层 由致密的 SiC