反应射频磁控溅射法制备HfTaO薄膜的热稳定性和光学性能.pdfVIP

1268 助 曹孝 料 2012年第10期(43)卷 反应射频磁控溅射法制备 HfTaO薄膜的热稳定性和光学性能 马春雨，苗春雨，李树林，王文娟，张庆瑜 (1．大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室 ，辽宁 大连 116024) 摘 要： 采用反应射频磁控溅射技术制备 HfTaO薄 貌进行了分析 ，研究了Ta掺入量对 HfTaO薄膜的热 膜 ，利用X射线衍射 (xRD)分析 了薄膜 的微结构 ，通 学稳定性及表面形貌的影响，同时利用透射光谱等表 过紫外一可见光分光光度计测量 了薄膜的透过谱 ，计算 征技术对薄膜 的光学性能进行分析 。 了薄膜的折射率和禁带宽度，利用原子力显微镜观察 2 实 验 了薄膜 的表 面形貌 。结果表 明，随 着 Ta掺入 量 (10％，26 ，50 )的增加 ，HfTaO薄膜 的结晶化 温度 2．1 样品制备 分别为 800、900、950℃ ，Ta掺入量 继续增加 到 72 ， 薄膜制备是在 JGPG450高真空磁控溅射系统上 经过 950℃退火处理 的HfTaO薄膜仍然保持非 晶态， 完成的，金属 Hf靶 、金属 Ta的纯度均为 99．99 ，直 具有优 良的热稳 定性。AFM 形貌分析 显示非 晶 径为 60mm。溅射时靶面的法线方 向分别与基片的法 HfTaO薄膜表面非常平整。在 550nm处薄膜折射率 线方向近乎成 45。，采用的基片是石英片和 n型 (100) 随着 Ta掺入 量的增大而增大， 的变化 区间为 1．90 取向的单晶Si片。在 Ar和 O。混合气氛下进行薄膜 ～ 2．15。同时HfTaO薄膜的光学带隙 随着 Ta掺 沉积 ，本底真空度为 1．0×10_。Pa。Ar和 O 表观质 入量 的增大而逐渐减 小， 的变化 区间为 4．15～ 量流量分别为 20、7cm。／min，工作气压均为 0．5Pa，沉 5．29eV 。 积时间为 2h。金属 Hf靶 的入射功率为 100W ，金属 关键词： HfTaO薄膜 ；磁控溅射 ；光学性能 ；热稳定 Ta靶的入射功率为 2O～100W ，沉积温度为室温。本 性 文采用同样方式沉积 了氧化铪 Hf和氧化 Ta薄膜 以 中图分类号 ： O484．4；TN386 文献标识码 ：A 进行对 比研究。沉积 的HfTaO薄膜在 N。气氛 中进 文章编号：1001—9731(2012)1O一1268—05 行退火处理，退火温度范 围为 800～950℃，退火后的 样品自然冷却至室温。 1 引 言 2．2 薄膜表征 由于HfO 具有较高的介 电常数，较大的禁带宽 采用 X射线衍射 (XRD)分析表征薄膜结构 ，在 D／Max2400衍射分析仪上进行 。X射线源为 CuKa 度和良好 的热稳定性 ，很有希望成为替代传统 siO 的 新型高 k栅介质材料L1]。但纯 HfO 薄膜的结 晶温度 辐射 ，波长 一0．15418nm。采用 XRF一1800型x射线 较低 (约为 400～600℃)，结晶态 HfO 栅介质薄膜对 荧光光谱仪进行薄膜成分分析 。在 CSPM5500型原 器件性能有不利 的影 响。近年来 ，为提高 HfO 薄膜 子力显微镜 (AFM)上进行薄膜表面形貌观察 ，采用轻 的结 晶化温度 ，研制与开发 以HfO 为基 的多元系栅 敲扫描模式 ，扫描频率为 2Hz，扫描范 围为 2肚m × 介质薄膜材料 已成为各 国学者研究 的热点之一 。 2m。通过透射光谱研究薄膜光学性能，采用