基底负偏压对直流磁控溅射CrN薄膜择优取向及表面形貌的影响.pdfVIP

谈淑咏 等 ：基底负偏压对直流磁控溅射 CrN薄膜择优取 向及表面形貌 的影响 基底负偏压对直流磁控溅射 CrN薄膜 择优取 向及表面形貌的影响 谈淑咏，张旭海，李纪宏，吴湘君 ，蒋建清 (东南大学 材料科学与工程学院，江苏省先进金属材料高技术研究重点实验室 ，江苏 南京 211189) 摘 要 ： 直流磁控溅射法制备不 同基底 负偏 压下的 业应用前景。 CrN薄膜，采用 XRD分析薄膜相结构，EDS分析薄膜 T．Hurkmans等 训对 PVD法制备 CrN薄膜的 表面成分，SEM 观察薄膜表面形貌 ，并对偏压作用机 研究认为，CrN薄膜的择优取 向与薄膜沉积工艺参数 制进行 了探讨。结果表 明，当Ar流量 6ml／min、N。流 有关，且偏压的影响较大。研究人员在 CrN薄膜 中观 量 30ml／min时，在基底 负偏压增大过程 中，CrN 薄膜 察到 (111)、(200)和 (220)择优生长，但偏压对择优取 始终由CrN相组成，但薄膜生长发生了(111)(一50V) 向的作用机制还很不清楚。本文研究 了基底负偏压对 向(200)(一125V)再 向无 明显择优 生长(一225V)的转 直流反应磁控溅射法制备的 CrN 薄膜择优取向及表 变。低偏压时，CrN薄膜[111]向Eeoo~取 向转变主要 面形貌的影响，并对偏压作用机理进行 了初步探讨。 是轰击表面氮离子浓度增加导致 ；高偏压时，薄膜 中 2 实 验 Ar浓度大幅增长，高能离子长时间轰击破坏晶粒取向 性 ，使薄膜呈无择优取向。同时，负偏压增加使薄膜表 利用 JGP450A2型超高真空磁控溅射 系统进行 面形貌从具有棱角的不规则形状逐渐变为粒状 结构 ， CrN薄膜的制备 。基底为镜面 304不锈钢 ，靶材为纯 且 晶粒逐渐细小 。 度 99．8 Cr。在溅射之前 ，先将基底浸入去离子水、 关键词： 基底负偏压 ；择优生长；表面形貌 ；直流磁控 丙酮 、乙醇溶液 中，并利用超声波振动仪分别清洗 溅射 20min，氮气吹干后装入溅射室 。溅射时靶材与基底之 中图分类号 ： TB3；TG14；TG17 文献标识码 ：A 间的距离为 50mm，基底水冷。为 了增加膜基结合力， 文章编号 ：1001—9731(2010)06—1015-04 在沉积 CrN薄膜之前，先沉积过渡 Cr层 ，沉积条件为 本底真 空度 6×10～Pa，工作气压 0．5Pa，直流功率 1 引 言 129．6W ，Ar流量 10ml／min，沉积 时间 20min，基底偏 CrN薄膜具有 良好 的耐高温 、耐腐蚀 、耐磨性 能， 压与沉积 CrN薄膜时保持一致 。本试验制备了不同 是 良好的高温结构材料、硬质工具材料及表面保护材 基底偏压条件下的CrN薄膜 ，制备条件见表 1。 料 ，同时它还具有优 良的热和电传导性能 ，有广泛的工 表 1 直流反应磁控溅射 CrN薄膜制备条件 Table1ThepreparationparametersofCrN filmsdepositedbyDC magnetronsputtering 样 品 基底偏压 (V) 时间 (rain)N2流量 (ml／min)Ar流量 (ml／min) 压力 (Pa) 功 率 (W) 1 — 5O 13O 2 一 75 135 3 — 1OO 140 4#