多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响.pdfVIP

多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响／周 艺等 ·35 · 多晶硅扩散氧化层对太 阳电池性能的影响 周 艺 ，肖 斌 ，黄 燕 ，金井升。，郭长春 ，欧衍聪 (1 长沙理工大学化学与生物工程学院，长沙 410004；2 湖南神州光电能源有限公司，长沙 4102O5) 摘要 重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响 ，并对大规模生产多晶硅扩散 工艺进行 了优化研究。 采用少子寿命测试仪分析 了扩散前后的硅片少子寿命 ，发现当扩散氧化时的干氧流量控制在 2800sccm，扩散后的方 块电阻控制在6o~7on／口时，扩散后硅片少子寿命最高达到 了lO．45s，与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍 多；此时的太阳 电池并联 电阻和短路 电流分别高迭 40．4fl和 8522mA，光 电转换 效率也 由16．69 (干氧流量 2000sccm)提高到了16．83 。此外，主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做 了解释。 关键词 扩散 氧化层 少子寿命 太阳电池 多晶硅 中图分类号：TM914．4+1 文献标识码 ：A InfluenceofMulticrystallineSiliconDiffusion OxideLayeron SolarCellPerformance ZHoU Yi，XIAOBin ，HUANGYan ，JIN Jingsheng ，GUoChangchun ，oU Yancong (1 SchoolofChemistryandBioengineering，ChangshaUniversityofScience，Changsha410004； 2 HunanShenzhouSolarEnergyCo，Itd，Changsha410205) Abstract Effectofmulticrvstallinesilicondiffusionoxidelayeronsolarcellperformanceandtheoptimum dif— fusionprocesswereinvestigated．Minoritycarrierlifetimeonsiliconwaferwasanalyzedbyminoritycarrierlifetime measureinginstrument．Theresultsshow thatminoritycarrierlifetimeon siliconwaferafterdiffusion reachesthe highestvalueof10．45~／s，whichis5timeslongerthanthatbeforediffusion，whiledryoxygenflow is2800secm and squareresistanceis60～70,0,／口．ThesolarbatteryparallelresistanceandshortcircuitcurrentarealsoamountstO 40．411and8522mA，andphotoelectricconversionefficiencyincreasesto16．83 comparingto16．69 whiledryoxy— genflow is2000sccrn．Moreover，theeffectofdiffusionoxidelayerontheinnersidefrictionresistanceuniformityand minoritycarrierlifetimewasexplained． Keywords diffusion，oxidelayer，theminoritycarrierlifetime，solarcell，multicrystal1inesilicon 硅作为半导体材料，在现代 电子工业 中的应用非常普 层可以很好地减少表面缺陷和改善方阻均匀性 ，这样既可以 遍，无论在传统半导