多晶硅太阳电池表面激光织构工艺研究.pdfVIP

· 16 · 材料导报 B：研究篇 2012年 12月(下)第 26卷第 12期 多晶硅太阳电池表面激光织构工艺研究 佘 鹏，曾梦麟 (湖南大学微纳光电子器件及应用教育部重点实验室，长沙 410082) 摘要 采用激光刻蚀，辅以化学溶液腐蚀对多晶硅片进行了表面织构。利用扫描电镜 (SEM)、HeliosLA rc 反射率测试仪和SemilabWT2000少子寿命仪对样品进行了表征。结果表明，多晶硅表面经激光织构后表现出很好 的陷光效果，反射率降低为8．0 。激光织构使硅片的少子寿命缩短，通过沉积 Al2()3钝化薄膜可改善多晶硅片的 电学性能。 关键词 多晶硅太阳电池 减反射 激光织构 中图分类号：0435．1 文献标识码：A StudyonLaserSurfaceTexturizationforM ulti—crystallineSiliconSolarCells SHE Peng，ZENG Menglin (KeyLaboratoryofM icr~NanoOptoelectronicDevicesofMinistryofEducation，HunanUniversity，Changsha410082) Abstract Surfacetexturizationofmulticrystallinesiliconwaferswerepreparedbylaseretchingandchemical solutioncorrosion．Thesampleswerecharacterizedbyscanningelectronmicroscopy(SEM)，HeliosLAbrcandSe- milabWT2000．Theresultsexhibitthatthe1owestreflectionrateofthelasertexturedsiliconsurfaceiSreducedtO 8．O andtheelectricalperformanceofthewafercouldbeimprovedbydepositingA12Oapassivationlayer． Keywords multicrystal1inesiliconsolarcells，anti—reflection，lasertexturization 太阳电池表面织构是指采用物理、化学的方法在衬底材 电学性质，保证了太阳电池的高转换效率。 料表面形成的高低不平的结构，可增加材料对光线的吸收， 1 实验 提高太阳电池的转换效率。目前存在的用于多晶硅太阳电 池 的表面织构工艺主要有机械刻槽_1]、等离子体刻蚀[2。]、混 本实验所采用 的激光织构工艺分为激光刻蚀和化学腐 酸溶液腐蚀l4 等。机械刻槽生产效率低，硅片破损率高，仅 蚀两步。 适用于实验室高效率太阳电池制作；等离子体刻蚀能获得非 首先采用波长为 1064nm的半导体抽运Nd：YAG激光 常好的减反射效果，但是其需要昂贵的设备，而且刻蚀过程 刻蚀整个 P型多晶硅片表面，其中多晶硅片被真空吸附在载 在真空环境下进行，运行成本过高；混酸溶液腐蚀是指采用 物台上，防止由于外间干扰滑动而造成减反射结构图形的偏 一 定配 比的HF和HNO。溶液对多晶硅片进行腐蚀，是 目前 移。图1为激光刻蚀多晶硅片时激光器的工作方式。采用 多晶硅太阳电池行业的量产工艺，该方法成本低且能很好地 如图1所示的扫描方式，选择适当的激光参数，包括激光能 整合到现有太阳电池制作工艺 中，但其获得的减反射效果与 量、激光光斑刻蚀停留时间和刻蚀间距。激光脉冲刻蚀多晶 单晶硅产业化织构工艺相比还有巨大的差距 。目前，工业上 硅片表面后将得到具有 良好减反射效果、整齐排列