多晶硅薄膜的铝诱导晶化法制备及其晶粒的择优取向特性.pdfVIP

于 威 等：多晶硅薄膜的铝诱导晶化法制备及其晶粒的择优取向特性 — 231 多晶硅薄膜的铝诱导晶化法制备及其晶粒的择优取向特性 于 威，郭亚平，杨彦斌，郭少刚，赵 一，傅广生 (河北大学 物理科学与技术学院，河北 保定 071002) 摘 要： 采用铝诱导非晶硅薄膜 晶化技术制备了多 微镜的观测证实，poly—Si的晶粒定 向成核被认为是特 晶硅薄膜 ，并研究了多晶硅 的成核和生长特性。非晶 定方向晶粒形成的主要原 因 ]。AiC成核的优化方向 硅薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备，其表 与金属与硅界面特性及退火温度紧密相关，较低的退 面沉积铝薄膜后经不同温度的氮氛围退火处理 。结果 火温度下，硅在氧化铝界面的较低的成核能导致 (100) 表 明，退火后的硅薄膜层与铝层发生置换，所生长的多 方向poly-Si薄膜 的优化生长，而较高退火温度导致 晶硅颗粒的平均尺寸约为 150nm。X射线衍射分析结 (111)等其他方向晶粒生长几率增加[7]。对晶粒的生 果揭示，薄膜的晶向显著依赖于退火温度 ，较低温度 长过程，研究认为，晶粒实际生长速率将决定于Al层 下，铝诱导晶化速率较慢，薄膜的优化晶向与非晶硅薄 中Si的含量和 晶粒 的生长速率 ，所以最终 poly—Si的 膜 中团簇的初始原子排列趋势紧密相关。而较高温度 微结构也依赖于金属与硅 的界面特性和实际退火温 下，铝诱导 晶化促使多晶硅 (111)择优成核及 随后 的固 度E。]。Schneider等已通过改变降温速率从实验上证 相生长 。 明了poly-Si晶粒的粒度和密度对铝 中硅含量及饱和 关键词 ： 铝诱导晶化法i多晶硅薄膜 ；低温退火 ；定 向 度等参量的依赖特征 。以上工作为AiC机制的认识 生长 及特定 晶面薄膜生长控制奠定 了基础。然而，以上研 中图分类号： 0782；TN304 文献标识码 iA 究等都是基于初始 a—si薄膜具有完全无序 的原子排 文章编号 ：1001-9731(2012)02—0231—04 列。实际上，在 a—Si薄膜制备过程中，无论溅射制备技 术中硅活性粒子的动能或 PECVD技术 中活性氢 的掺 1 引 言 入都将导致 a—si的原子排列产生局域有序特征 ， 多晶硅(poly—Si)薄膜同时具有单晶硅 的高载流子 该初始的原子有序性必然对 a—Si的晶化过程和 poly— 迁移率和非晶硅 (a—Si)薄膜的可大面积、低成本制备的 Si晶体结构产生影响，因此 ，需要进行深入 的实验研 特点，已经广泛应用于薄膜晶体管、有源矩 阵液晶显示 究。 器和薄膜太阳能电池等领域 ]。近年来 ，人们已经发 本文采用 PECVD技术在玻璃衬底上制备 了初始 展了poly-Si薄膜 的多种制备技术 ，如化学气相沉积 a—si薄膜，然后利用 AIC制备 poly—Si薄膜 ，利用扫描 口]、 激光诱导 晶化 及热退火 固相 晶化 (SPC)等。 电子显微镜 (SEM)、Raman光谱和 X射线衍射 (XRD) SPC所制备的poly—Si薄膜因其结构均匀、表面平整等 等测量手段对薄膜的晶体结构 、表面形貌 、结晶情况以 优势，已应用于工业生产，然而，所需的高退火温度和 及择优取向进行了表征和分析，重点研究了对不同退 长退火时间导致薄膜 的制备成本较高 [5]。近年来 ， 火温度条件下 晶粒 的取 向特征和 晶粒大小 的变化规 poly—Si薄膜的金属诱导 晶化技术受人关注 。采