多晶硅定向凝固温度场模拟的研究进展.pdfVIP

· 22 · 材料导报 A：综述篇 2014年 6月(上)第28卷第 6期 多晶硅定 向凝 固温度场模拟的研究进展 胡 艳，李沐益，郝 海 (大连理工大学材料科学与工程学院，大连 I16024) 摘要 对多晶硅太阳能电池而言，决定其光 电转化效率的铸锭晶粒尺寸、晶体缺陷、内应力及杂质的形成与分 布等与定向凝 固过程的温度场密切相关。因此，为提高多晶硅锭质量丛须控制和优化定向凝固过程的温度场。运用 数值模拟技术对多晶硅定向凝固温度场进行分析，已被国内外学者广泛应用，获得 了有参考价值的模拟结果。结合 自身工作 ，综合分析 了多晶硅铸锭缺陷与温度场的关系，总结了多晶硅定向凝固数值模拟中，热导率、加热功率、氩气 流动状态、外加磁场及定向凝固系统结构等对温度场的影响，可为多晶硅铸锭的制备及质量改进提供参考。 关键词 多晶硅 定向凝固 温度场 数值模拟 中圈分类号：TM914．4 文献标识码：A ResearchProgressofTemperatureFieldSimulation inDirectional SolidificationProcessforM ulti—crystallineSilicon HU Yan，LIM uyi，HAO Hal (SchoolofMaterialsSc ienceandEngineering，DalianUniversityofTechnology，Datian116024) Abstract Ingotgrainsize，crystaldefect，internalstress，formationanddistributionofimpuritywhichcontrol photoelectricconversionefficienciesformulti-crystallinesiliconsolarcellarecloselyrelatedtothetemperaturefieldin directionalsolidificationprocess．Consequently，controlandoptimizationoftemperaturefieldindirectionalsolidifica— tionprocessisthemostadvantageoustoimprovequalityofmultI_crystallinesiliconingot．Thetemperaturefieldofdi— rectionalsolidificationofmulti—crystallinesilicon isanalyzedwiththewidelyusednumericalsimulation techniqueby domesticandforeign scholars，andthesimulationresultshaveimportantreferencevalue．Therelationshipbetween multi—crystallinesiliconingotdefectandtemperaturefield isanalyzedbyauthorwhoisbasedontheownwork．The influenceofthermalconductivity，heatingpower，argonflow state，externalmagneticfieldanddirectiona1solidifica— tionsystem structureontemperaturefieldissummarizedwhichwillprovidereferenceforimprovingpreparationand qualityofmulti—crystallinesiliconingot． Keywords multcrystallinesilicon，directionalso