大直径Hg3In2Te6晶体生长与性能表征.pdfVIP

助 曹于 抖 2010年第4期(41)卷 大直径 Hg3In2Te6晶体生长与性能表征 王新鹏 ，孙晓燕，介万奇，罗 林，王 涛，傅 莉 (西北工业大学 凝固技术国家重点实验室 ，陕西 西安 710072) 摘 要： 采用垂直布里奇曼法，成功生长 出大直径 的制备。目前应用于 MIT体单晶生长的方法有：高压 Hg3In2Te6(D一30mm)晶体 。通过傅立叶红外透射光 布里奇曼法，固态再结晶法，移动加热器法，垂直布里 谱测试 了晶锭不同部位 的红外透过率，并利 用X射线 奇曼法等。本文选用垂直布里奇曼法进 行大直径 双晶摇摆曲线表征 了晶体的结晶质量。结果表 明，定 Hg。In。Te。晶体生长 ，并对所生长出来 晶体的结 晶质 向切割晶片为 (1l1)面单 晶，衍射峰位 于 一12．1665。 量进行评价 。 处，半峰宽为0．0760。；中部单晶片红外透过率平均值 2 实验方法与设备 为 50％，接 近 Hg。In2Te 晶体 的红 外透过 率 最大值 57 。位错和成分非均 匀性是造成晶锭不 同部位红外 2．1 晶体生长 透过率差异的主要因素。 将高纯 (7N)的Hg、In和 Te单质按照一定的顺序 关键词 ： Hg。In。Te；大直径晶体生长 ；垂直布里奇曼 装入石英管中，并在高真空下进行封装。将封装好的 法；摇摆 曲线；红外透射光谱 石英坩埚放人单温区摇摆炉中，加热至 目标温度 ，并保 中图分类号： TN304．2 文献标识码 ：A 温摇摆 ，使原料充分化合和混合均匀 ，然后随炉冷却到 文章编号：1001—9731(2010)04-0578-03 室温，获得多晶料锭。晶体生长采用 自行研制 的AC- RT—B(Ⅱ)型晶体生长设备 ，按照设定 的加热程序，将 1 引 言 多晶料锭加热到 目标温度。然后坩埚缓慢从高温区向 直接跃迁窄禁带化合物碲铟汞 (Hg。一 In Te。) 低温区下降，坩埚底部最先形核并开始定 向生长，直至 是一种含 Hg的 Ⅱ一Ⅵ ／Ⅲ一Ⅵ族化合物半导体材料 。当 熔体全部耗尽。长 晶完成后对 晶锭进行原位退火 ，改 x=O．5时，Hg(3一㈦InzTe。禁带宽度约为0．73eV ，具 善晶体的结晶质量。生长出的Hg3InTes晶锭尺寸为 有 良好的光 电性能，可用于制作近红外 1～3m探测 30mm×150mm，如图 1所示 。 器材料口]。与其它近红外探测器材料相 比，Hg。一 InzTe。具有使用温度范 围宽 、温度稳定性好、本征载 流子浓度低 、迁移率高、响应时间短、量子效率高、抗 7 射线辐射等优点 [2]。 国内 Wang等人u]已经 生长 出小直 径 (D ：=： 15mm)Hg。InTe 晶体 ，但 由于生长 出的小 直径 Hg。InTe 晶体晶粒 比较小，难以对晶体进行定 向切 割，获得特定晶体取 向的单晶片，从而在器件制造方面 不能达到最佳的应用效果。另外 ，小直径晶体晶粒 比 图1 Hg3In2Te6晶锭照片 较多，影响了材料本身的电学和光学性能。制造半导 Fig 1 Hg3In2Te6ingotgrown by verticalBridgman 体器件的晶片都是经过定 向的，增加晶锭的直径是获 method 得大尺寸特定 晶体取向单 晶、提高材料利用率 的有效 2．2 晶体红外透过率测试 途径。目前国内外关于大直径 Hg。InTe。晶体生长的 将晶锭沿垂直于轴