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太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状 ／吴洪军等 ·l35 · 太 阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状 吴洪军 ，陈秀华 ，马文会 ，梅向阳 ，蒋 咏 (1 云南大学物理科学与技术学院，昆明650091；2 昆明理工大学真空冶金国家工程实验室，昆明 650093) 摘要 综述了几类主要的太阳电池用多晶硅及其吸杂研 究现状。评述 了当前太阳电池领域涉及到的几类多 晶硅如铸造多晶硅、冶金法多晶硅、西门子法多晶硅等的优缺点。详细描述了多晶硅的吸杂类型、吸杂过程、吸杂影 响因素等。给出了本课题组关于冶金法多晶硅吸杂实验的一些初步研究结果。展望了多晶硅及其吸杂技术的发展。 关键词 多晶硅 太阳电池 吸杂 中图分类号：TN304．1 文献标识码 ：A ResearchStatusontheM ulti-crystallineSilicon forSolar CellsandItsGetteringTechnology WU Hongjun，CHENXiuhua，MAWenhui，MEIXiangyang ，JIANGYong (1FacultyofPhysicalScienceandTechnology，YunnanUniversity，Kunming650091；2 NationalEngineering LaboratoryofVacuum Metallurgy，KunmingUniversityofScienceandTechnology，Kunming650093) Abstract Researchstatuson severalmaintypesofmulti—crystallinesiliconforsolarcellsand theirgettering technologyaresummarized．Theadvantagesanddisadvantagesofseveralkindsofmulti-crystallinesilicon(mc-Si)for solarcellssuchascastingmc—Si，metallurgicalmethodmc-Si，Siemensmethodmc-Siarereviewed．Thetypesofgette— ring，getteringprocessesandimpactfactorsofgetteringaredescribed．Furthermore，somepreliminaryfindingsofour groupaboutgetteringofmetallurgicalmethodmc-Siaregiven．Thedevelopmentalprospectsofmc-Sianditsgettering technologyareputforward． Keywords multi—crystallinesilicon，solarcells，gettering 0 引言 还没有形成统一的定论和完整的理论。 1 太阳电池用多晶硅 近年来 ，多晶硅太 阳电池凭借其 易制成方形基片、可组 件排列、价格低廉且转换效率较高等优点在光伏领域中占据 太阳电池用多晶硅，其纯度一般在 6～7N，纯度太高反 着主要地位 。但多晶硅 中有较高密度的晶界、位错 、微缺陷 而不能制作成 电池_3；另外，为降低成本，以后做电池用的多 及金属杂质 。这些结构缺陷与金属杂质特别是铁 、钴、镍 、铜 晶硅片子会随着技术的提高而越来越薄，其极限厚度约为 等重金属杂质相互作用会对电池 的电学性能产生严重影响。 50~／m，目前所采用的片子厚度为 160#m左右[4]。太阳电池 晶界、位错一般可通过退火消除，金属杂质则可通过吸杂去 领域涉及到的多晶硅主要有铸