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太阳能电池用多晶硅晶界的EBSD研究
太阳能电池用多晶硅晶界的EBSD研究/马会娜等 ·9 ·
太 阳能 电池用多晶硅 晶界的EBSD研究
马会娜,张智慧,左玉婷 ,杜风贞,李继东
(北京有色金属研究总院分析测试技术研究所 ,北京 1OOO88)
摘要 利用电子背散射衍射(Electronbackscattereddiffraction,EBSD)对太阳能电池用多晶硅的晶界进行 了
研究。结果表明,太阳能电池用多晶硅 中的大部分晶界为大角度晶界,且以特殊晶界 3和普通晶界为主,同时还存
在少量小角度晶界。在制作太阳能电池用多晶硅时,重点要降低小角度晶界和Z3的含量。
关键词 太阳能电池 多晶硅 电子背散射衍射 晶界 三3
中图分类号:TGll5 文献标识码:A
ElectronBackScatteredDiffractionStudyonGrainBoundariesinP0lycrystalline
SiliconofSolarCells
MA Huina,ZHANGZhihui,ZUOYuting,DUFengzhen,LIJidong
(InstituteofAnalysisandTestingTechnology,GeneralResearchInstituteforNon-ferrousMetals,Beijing100088)
Abstract Thegrainboundaryinpolycrystallinesiliconofsolarcellswasstudiedbyelectronbackscattereddif—
fraction (EBSD).Theresultsshow thatmostgrainboundariesobservedarelargeanglegrainboundaries..23andcom—
mongrainboundariesarethechiefoftheselargeanglegrainboundaries.Smallanglegrainboundarieswerealsoob—
servedwithalow ratio.DecreasethecontentofsmallanglegrainboundariesandZ3inpreparingpolycrystallinesilicon
ofsolarcellsistheemphasis.
Keywords solarcells,polycrystallinesilicon,EBSD,grainboundary,Z3
依据,最终为太阳能电池用多晶硅的生产工艺改进提供有益
0 引言
的参考。
硅是一种 良好的半导体材料,其储量丰富,是地球上储
1 实验
存量第二大的元素,而且性能稳定、无毒,因此成为太阳能电
池研究开发、生产和应用中的主体材料 。多晶硅电池材料与 实验中所用的太阳能电池用多晶硅为高纯多晶硅,金属
单晶硅的主要区别是不同晶向的单晶晶粒间存在晶粒晶界。 杂质的含量都低于检测极限。选用厚度为 2ram 的高纯度太
这一缺点曾经阻碍了多晶硅电池的研制。从制作成本上看, 阳能多晶硅锭切片为实验材料。将切割好 的多晶硅片用
多晶硅太阳能电池比单晶硅太阳能电池便宜一些,材料制造 (HF): (HNO。)一1:3的混合酸进行清洗,以去除切割
简便,节约电耗,总的生产成本较低,因此多晶硅太阳能电池 过程的机械损伤层,再用浓度为 10 的HF将硅片表面的氧
的竞争力近年来已经超越了单晶硅太阳能电池_】]。 化层去掉,然后用丙酮及去离子水清洗干净,最后进行电解
具有电子活性的晶界是影响多晶硅太阳能电池转换效
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