太阳电池用金属背反镜的吸收损耗.pdfVIP

· 140 · 材料导报 B：研究篇 2016年 7月(B)第30卷第 7期 太阳电池用金属背反镜 的吸收损耗 陆晓东，赵 洋，王泽来，张 鹏，吴元庆，张宇峰，周 涛 (渤海大学新能源学院，锦州 121000) 摘要 利用频域有限差分法计算获得的金属背反镜吸收损耗谱及其光电流密度谱，分析 了c-Si、a-Si和 GaAs 三种材料电池的银背反镜的吸收损耗情况。分析过程中，电池结构采用两种形式，即平板型和织构型，且两种形式的 电池结构具有相同的有源层厚度、减反膜结构、缓冲层结构、银背反镜厚度。分析表 明：直接带隙a-Si和 GaAs材料 的银背反镜损耗小于间接带隙c-Si材料；平板型电池银背反镜的TE模损耗随入射角增加而减小，TM模损耗随入射 角增加而增加；织构型电池银背反镜吸收谱的吸收峰较平板型电池多，相应的银背反镜的损耗也较平板型电池大； TM模激励的等离子体振荡吸收效应在织构型电池中表现明显。 关键词 金属背反镜 吸收损耗 平板型电池 织构型电池 中图分类号：TK514 文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2016．14．031 Absorption LossofM etalBackReflectorforSolarCells LU Xiaodong，ZHAO Yang，W ANG Zelai，ZHANG Peng，W U Yuanqing， ZHANG Yufeng，ZHOU Tao (CollegeofNew Energy，BohaiUniversity，Jinzhou121000) Abstract Usingthefinitedifferencemethodtocalculatetheabsorptionlossspectraandtheopticalcurrentden— sityspectraofthemeta1backmirror，theabsorptionlOSSofthemetalbackmirrorwiththreekindsofmaterials，c_Si， a-SiandGaAs，wereanalyzed．Intheprocessofanalysis，batterystructurewasusedintWOforms：theflatplatetype andtexturedtype．andtWOformsofcellstructurehadthesamethicknessoftheactive1ayer，antireflectionfilm struc— ture，bufferlayerstructure，silverbackedmirrorthickness．Analysisshows：Thedirectbandgapofa-SiandGaAs materialswiththesilverbackreflectormirrorlossiSlessthantheindirectbandgape-Simateria1：ThelOSSoftheTE modeoftheflatpaneltypebatterycellbankisdecreasedwiththeincreaseoftheincidentangle，andthelOSSofTM modeincreasedwiththeincreaseoftheincidentangleTheabsorptionpeakofthetexturetypecellismorethanthatof theflatplate。andthelossofthecorrespondingsilverbackreflectormirrorislargerthan thatoftheflatpanel；TM modeexcitationoftheplasmaoscillationabsorptioneffectiSobviousinthetexturecel1．