Al_0_85_Ga_0_15_As_GaAs太阳能电池器件工艺优化研究.pdfVIP

21 5 Vol. 21 No. 5 2000 10 Semiconductor Optoelectronics Oct. 2000 : 1001- 5868( 2000) 05- 0339- 03 Al0. 85G 0. 15As/ G As 陈晓杰, 李爱珍, 王嘉宽, 胡雨生, 汪 乐 ( , 200050) : 报道了优化的p- n 型Al0. 85G 0. 15As/ G As 太阳能电池器件工艺分别采用真空蒸 发Cr/ Au 和AuGeNi/Au 制作正面栅线和 面电极, 并分别在450 和350 下快速合金化形成欧 姆接触采用NH OH:H O :H PO : H O 体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的G As 接触层采用真 4 2 2 3 4 2 空蒸发技术制备ZnS/ MgF 双层复合减反射层测试结果表明, 采用优化工艺制备的器件的光电转