III族氮化物材料制备.PDF

维普资讯 ((红 外》月刊 2004年 III族氮化物材料制备 李 雪 (中国科学院上海技术物理研究所，上海，200083) 摘 要 Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要 的半导体材料。本文主要介绍 了用几种外延技术制备 GaN材料 的方法，并介绍 了一种与GaN晶格匹配 的新型衬底 材料。 关键词 外延 GaN材料 晶格匹配 1 引言 此外，近年来随着研究工作的深入，人们还开 发出了一些新的生长方法。 Ⅲ族氮化物材料是直接带隙半导体 ，它具 2材料 生长技术 有优异的物理和化学性质，如大的热导率和介 2．1金属有机化学汽相沉积 (MOCVD) 电常数，高的 电子饱和速度和化学稳定性，是继 金属有机化学汽相沉积方法的生长速率适 Si和 GaAs后又一类重要的半导体材料 。GaN 中，是唯一可以用来实现大规模商业生产的制 是制造蓝光、紫光和紫外光大功率短波长耐高 备技术。它易于通过调节各种源气体的流量来 温器件的理想材料。用 GaN材料制成的不 同色 控制外延层的组分 、厚度、电导率；外延设备简 彩和极窄带宽的高亮度发光二极管 (LED)和长 单 ，可进行大面积和多片批量生长；外延层杂 寿命蓝光激光器 (LD)已实现商业化 ；GaN基 质分布可以作得陡峭，有利于生长理想的多层 MESFET、HBT和 MODFET(HEMT)等器件 已 薄膜。 成功制备出来；GaN基紫外探测器正处于研究 最早用MOCVD生长Ⅲ族氮化物是在 10年 阶段。与传统的探测器相 比，GaN基紫外探测器 前开始的 [，GaN的生长源采用三甲基镓和氨 可以提供较高 的量子效率和快速的响应，通过 气，利用氢和氮气做载体，生长温度为 1050℃。增 调整 A1NGaNInN合金体系的合金组份，其波 加三甲基铝和三 甲基铟可以分别生长 A1GaN和 长范围可 以从红光一直覆盖到紫外波段 [1--4]。 InGaN，A1GaN容易形成均匀的合金，而 InGaN 的制备相对 比较复杂，富铟相有析 出的趋势， 为了改善 GaN材料的质量 ，发展材料制备 导致不均匀的InGaN层。N型掺杂用 Si做浅施 方法是非常重要 的。尽管人们对 GaN体单 晶 主，Sill4做 MOCVD的源气体，P型掺杂 Mg 材料的生长进行了许多积极的探索，但是 目前 是最适合的受主，用 Cp2Mg做源，为避免 H钝 GaN材料主要还是通过在其它衬底上进行异质 化 Mg受主，退火温度在 700℃左右 [引。 外延生长的，常用的衬底是蓝宝石 (A12O3)和 MOCVD 目前 已经成为用得最 多、生长材 6HSiC。在各种外延技术 中，卤化