氧化锌薄膜於半导体元件之应用.PDFVIP

氧化鋅薄膜於半導體元件之應用 計畫主持人 黃文昌 崑山科技大學光電工程系 摘 要 本文探討氧化鋅薄膜於半導體元件之應用；首先，探討摻雜鎵的n型氧化鋅與 p型矽 之接面接觸研究。藉由電流電壓測量，探討此- pn接面之電氣特性。結果顯示，在600℃ 退火時，可得到最佳之二極體截波特性。在變溫量測中，當量測溫度由 298 增到 373 K 時，能障高度可由 0.5 增到 0.64 eV ，而其理想因子則由1.65下降到 1.42 。 在第二部分中，以溶膠凝膠法及旋轉塗佈浸塗技術備製氧化鋅薄膜，再以真空蒸鍍 法備製蕭特基二極體。氧化鋅薄膜塗佈於矽基板後，經800℃、45秒快速退火處理而得 。銀氧化鋅蕭特基二極體製作