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SiC 半导体在薄膜物理制备中的研究
Electronic Technology • 电子技术
SiC半导体在薄膜物理制备中的研究
文/艾学正 范梦慧 谢泉 王凯
气压为 2.0pa ,靶基距为 55mm,溅射功率为 进行了系统的实验研究。首先在725 ℃完成 si
作为新一代的半导体材料, 60~70W,溅射时保持衬底的温度为 400 ℃。 缓冲层的生长,之后进行碳化,结果发现,si
摘
SiC 具有优良的化学物理性质,因
分析实验数据发现,在 120W 的溅射功率下制
要
与 SiC 的转换温度可限制在 600~650℃。
此,SiC 薄膜的制备工艺也越来越
受到人们的关注。本文主要对当 备的 SiC 薄膜质量最好。
3 结语
前 SiC 薄膜的物理制备工艺进行
详细的研究介绍,并进一步总结 2.2 脉冲激光沉积
讨论了各种制备工艺的优缺点。 SiC 具有良好的物理化学性质,但是制备
脉冲激光沉积 (PLD) 的原理是由激光器 方法的缺陷制约了其在相关领域的应用,性能
激发出来的高功率密度的脉冲激光打在靶材表 优异的 SiC 薄膜的生长工艺将成为该领域研究
【关键词】SiC 薄膜 结构 性质 物理汽相沉 面,使靶材温度迅速升高并蒸发成离子体到 的热点问题。虽然 SiC 薄膜的制备技术已经日
积 达靶对面的衬底,最后在衬底上沉积成膜。 趋完善,但是仍然存在一些问题急需解决。磁
脉冲激光沉积溅射出来的粒子动能大,不过结 控溅射等低温外延生长技术制备的薄膜具有良
晶质量高,所需衬底温度低,但是生长大尺寸 好的畴界状态,但是成膜过程难以控制,设备
的薄膜均匀度很难保证,沉积速率也比较低。 复杂,成本较高,分子束外延制备的薄膜质量
1 引言
Diegel[4] 等人利用脉冲激光沉积法对 SiC 薄膜 良好,但是成膜速率较慢。
SiC 材料是一种宽带隙半导体材料 , 具有 进行了研究,以 SiC 烧结靶为靶材,在温度为
禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱 950 ℃~1200 ℃的石英玻璃和 si 衬底上进行薄 参考文献
和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介 膜生长。实验结果显示,在石英衬底上得到的 [1]Siergiej R R,Clarke R C,Sriram S,
电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优 SiC 薄膜质量较差,si 衬底上生长出的薄膜具 et al.Advances in SiC materials and
良的物理化学性质, 还可以与 Si 集成电路工艺 有很高的取向。 devices:an industrial point of view
兼容 , 成为制作高温、高频、
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