SiC 半导体在薄膜物理制备中的研究.PDF

Electronic Technology • 电子技术 SiC半导体在薄膜物理制备中的研究 文/艾学正 范梦慧 谢泉 王凯 气压为 2.0pa ，靶基距为 55mm，溅射功率为 进行了系统的实验研究。首先在725 ℃完成 si 作为新一代的半导体材料， 60~70W，溅射时保持衬底的温度为 400 ℃。 缓冲层的生长，之后进行碳化，结果发现，si 摘 SiC 具有优良的化学物理性质，因 分析实验数据发现，在 120W 的溅射功率下制 要 与 SiC 的转换温度可限制在 600~650℃。 此，SiC 薄膜的制备工艺也越来越 受到人们的关注。本文主要对当 备的 SiC 薄膜质量最好。 3 结语 前 SiC 薄膜的物理制备工艺进行 详细的研究介绍，并进一步总结 2.2 脉冲激光沉积 讨论了各种制备工艺的优缺点。 SiC 具有良好的物理化学性质，但是制备 脉冲激光沉积 (PLD) 的原理是由激光器 方法的缺陷制约了其在相关领域的应用，性能 激发出来的高功率密度的脉冲激光打在靶材表 优异的 SiC 薄膜的生长工艺将成为该领域研究 【关键词】SiC 薄膜 结构 性质 物理汽相沉 面，使靶材温度迅速升高并蒸发成离子体到 的热点问题。虽然 SiC 薄膜的制备技术已经日 积 达靶对面的衬底，最后在衬底上沉积成膜。 趋完善，但是仍然存在一些问题急需解决。磁 脉冲激光沉积溅射出来的粒子动能大，不过结 控溅射等低温外延生长技术制备的薄膜具有良 晶质量高，所需衬底温度低，但是生长大尺寸 好的畴界状态，但是成膜过程难以控制，设备 的薄膜均匀度很难保证，沉积速率也比较低。 复杂，成本较高，分子束外延制备的薄膜质量 1 引言 Diegel[4] 等人利用脉冲激光沉积法对 SiC 薄膜 良好，但是成膜速率较慢。 SiC 材料是一种宽带隙半导体材料 , 具有 进行了研究，以 SiC 烧结靶为靶材，在温度为 禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱 950 ℃~1200 ℃的石英玻璃和 si 衬底上进行薄 参考文献 和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介 膜生长。实验结果显示，在石英衬底上得到的 [1]Siergiej R R,Clarke R C,Sriram S, 电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优 SiC 薄膜质量较差，si 衬底上生长出的薄膜具 et al.Advances in SiC materials and 良的物理化学性质, 还可以与 Si 集成电路工艺 有很高的取向。 devices:an industrial point of view 兼容 , 成为制作高温、高频、