SiGe HBT 大信号等效电路模型 - 物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $##6 ， ， ， 4H? . GH . =@IJ@KL $##6 （ ） ###A9$8#E$##6E # E#%#9A#6 1- /+F’01 ’0G01 !$##6 1M(I . /MLC . ’HN . !#$ %’ 大信号等效电路模型! 胡辉勇 张鹤鸣 吕 懿 戴显英 侯 慧 区健锋 王 伟 王喜嫒 （西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 !##!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $##% $ $ $## $% 基于 （异质结双极晶体管）的物理模型，建立了描述 的大信号等效电路模型 该等效电路模 ’()* +,- ’()* +,- . 型考虑了准饱和效应和自热效应等，模型分为本征和非本征两部分，物理意义清晰，拓扑结构相对简单 该模型嵌 . 入了 软件的 （器件方程开发包）中 在 软件资源的支持下，利用该模型对 器件进行 /’/012 32425 . /’/012 ’()* +,- 了交直流特性模拟分析，模拟结果与理论分析结果相一致，并且与文献报道的结果符合较好. 关键词： ，等效电路模型， ’()* +,- /’/012 ： ， ， ()** 67 76#1 8$%#1 输出外特性来构成的模型. 前者必须了解器件的微 引 言 观结构、载流子的分布及输运，其模型参数与物理机 理有密切关系，因此参数的适应范围较大，但参数的 近年来随着应变 ’()* 材料制备技术的发展， 测定和计算通常比较麻烦 后者要了解电路的工作 . （异质结双极晶体管）备受重视 由于 原理，但不必了解具体器件的内部机理，模型参数可 ’()* +,- . ’()* 频率特性、线性特性、噪声特性等性能较 器 以通过直接测量而获得，缺点是模型参数适用的工 +,- ’( 件优越，特别是与传统的’( 工艺技术兼容，使其成 作范围窄，并与测试条件有关. 本文中器件模型的建 ［，］ 为新一代微电子器件的研究热点 $ . 立采用的是第一种建模方式，即以器件的物理机理 ’()* +,- 的诸多优点使其得到