闪锌矿inas及其三元混晶inas1-xpx.docVIP

学校代码：10126 学号： 分类号： 编号 论 文 题 目 闪锌矿InAs及其三元混晶InAs1-xPx 材料的第一性原理研究 2015年4月30日  闪锌矿InAs及其三元混晶InAs1-xPx材料的第一性原理研究 摘 要 随着半导体技术的飞速发展，以InAs和InP为代表的-Ⅴ族半导体化合物在可调器件和光电设备等方面有广泛应用，因而它们受到了世界各地研究人员的重大关注。InAs属于直接带隙且带隙值较小的半导体之一，而且是-Ⅴ族半导体化合物中极其重要且用途极为广泛的半导体材料之一，因此它就会具有一些较突出的物理特性,例如载流子浓度较高、消耗功率较低、迁移率比较高、耐高温且抗辐射等等一系列的特点。近几年来，为了更好地改善InAs材料的性能，使其能在更多的领域被应用，合理的改变InAs的组份是目前最常用的方法，InAs不仅是重要的光电子材料，也是纳米物理和化学的重要材料之一，有巨大的应用价值和科学意义。 本文的研究内容主要是闪锌矿半导体材料InAs和三元混晶InAs1-xPx的电子结构和光学性质。具体内容如下：首先，在密度泛函理论的基础上，采用第一性原理研究方法，在计算过程中所采用的近似方法为广义梯度近似（GGA）下的WC梯度修正函数，主要给出了InAs在结构优化后的晶格常数，然后在晶格优化的基础上计算了带隙值、帯隙修正、能带结构态密度。其次，计算得到了三元混晶InAs1-xPx电子结构。最后，在第一性原理研究方法的基础上，计算出InAs及其三元混晶InAs1-xPx的光学性质。 本文的主要研究成果：第一、闪锌矿半导体InAs在结构优化后所得到的晶格常数是6.13?，与实验值6.05?相吻合。当P的组分依次分为0、0.125、0.25……、0.875、1.0时，其相应的晶格常数在逐渐减小。带隙值从Eg=0eV逐渐增大，这些数据其他理论结果均相一致。二元晶体、三元混晶的带隙值的计算值较实验值略小，故我们把带隙值利用公式法进行了修正，之后所得到的带隙值与实验值相互吻合；第三、随着P元素组分的增加，其相应的光学性质（介电函数、能量损失等）特性曲线发生红移现象。 关键词：半导体化合物；电子能带结构；态密度；光学性质  FIRST-PRINCIPLE STUDY ON InAs AND TERNARYMIXED CRYSTAL MATERIAL InAs1-xPx ABSTRACT InAs is not only an important material optoelectronics, but also in nano-physics and chemistry with great value and scientific significance. As the representatives of Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors, the InAs and InP have been widely applied in tunable and optoelectronic devices gearing to the rapid development of semiconductor technology. They have also been intensively studied on for this reason. InAs is one type of semiconductor with small direct band gap, and also one of the extremely important and versatile Ⅲ-Ⅴ semiconductor compound materials with the following prominent physical characteristics, such as higher carrier concentration, lower power consumption, higher mobility，high temperature resistance anti-radiation. The recent years have seen a most commonly method to change the component of InAs to improve its performance for a wider application. The major target of this research is the elec