亚100 nm 硅集成技术融合趋势 - 微电子学.PDF

第44卷 第4期 微 电 子 学 Vol.44,No.4 2014年8月 Microelectronics Aug.2014 ·动态综述· 亚100nm硅集成技术融合趋势 冯光涛，倪 昊 (中芯国际集成电路制造有限公司 上, 201203) 摘 要：对亚 100nm硅集成技术融合趋势进行了展望。各项新技术使MOSFET器件可以按比例 缩小到10nm 以下节点，让摩尔定律在未来很长时间继续有效。另一方面，随着硅通孔等技术的 日益成熟，器件、芯片、晶圆和介质层之间将以各种灵活的方式进行互连，实现各式各样的三维 硅集成。在摩尔定律指引下的器件小型化技术、沿着后摩尔定律方向的三维硅集成技术，以及两 者之间的相互融合，是亚 100nm硅集成技术的发展方向。 关键词： MOSFET；器件小型化；硅通孔；系统芯片；系统封装；三维硅集成 中图分类号： TN47 文献标识码：A 文章编号：1004-336 (2014)04-0515-04 OutlookofSub-100nmSiliconIntegration FENGGuangtao,NIHao (SemiconductorManufacturingInternational Corporation,Shanghai201203,P.R. China) Abstract: Sub-100 nm silicon integration technologies are presented. At the device level, MOSFETs can be scaled down to 10nm andbeyond nodes, and enable Moore’sLaw effective in the comingyears. Onthe otherhand, with the maturityandadoptionofTSVtechnology thedevices,dies,wafersandinterposerscanbeconnectedinaflexiblewayto ， achievevarious 3Dsiliconintegrations.ThedeviceminimizationundertheMoore’sLaw,the3DICdiversificationunder theMore-than-Moore,andtheircombinationswillbecomethemaindirectionforthesub-100nmsiliconintegration. Keywords: MOSFET;Deviceminimization;TSV;SoC;SiP;3Dsiliconintegration 100nm尺度，器件小型化受到严重挑战，摩尔定律 1 引 言 能持续多久备受瞩目。另一方面，三维硅集成采用 硅通孔(TSV)等技术，在三维空间实现器件、芯片、 自集成电路在1950年代被发明以来，硅基集成 晶圆、介质层之间的堆叠和互连。这种技术已成功 电路已成为工业界的主流技术。虽然各种新材料和 将多个较小容量的存储器芯片集成为更大容量的存 新工艺不断涌现，加工精度向亚 100nm领域不断 储器。随着硅通孔技术的逐渐成熟，三维硅集成将