半导体物理_02半导体中的缺陷和杂质.pptVIP

在Ⅲ-Ⅴ族化合物中，除了热振动因素形成空位和间隙原子外，由于成分偏离正常的化学比，也形成点缺陷。 例如，在砷化镓中，由于热振动可以使镓原子离开晶格格点形成镓空位和镓间隙原子；也可以使砷原子离开格点形成砷空位和砷间隙原子。 另外，由于砷化镓中镓偏多或砷偏多，也能形成砷空位或镓空位。 替位原子/反结构缺陷 比如，二元化合物AB中，替位原子可以有两种，A取代B或B取代A，一般认为AB是受主，BA是施主。 例如，在砷化镓中，砷取代镓后为AsGa起施主作用，而镓取代砷后为GaAs起受主作用。 化合物半导体中，存在的另一种点缺陷 位错 位错也是半导体中的一种缺陷，它对半导体材料和器件的性能也会产生很大的影响。 在硅、锗晶体中位错的情况相当复杂。由位错引入禁带的能级也十分复杂。 根据实验测得，位错能级都是深受主能级。当位错密度较高时，由于它和杂质的补偿作用，能使含有浅施主杂质的N型硅、锗中的载流子浓度降低，而对P型硅、锗却没有这种影响。 第二章重要知识点 施主杂质、受主杂质的概念和特点 n型和p型半导体的概念和特点 杂质补偿的概念、应用和缺点 深能级杂质的概念、作用 三五族半导体中的特殊杂质的性质 半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics) 第二章 半导体中的缺陷和杂质 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中特殊的杂质能级 2