半导体物理第六章(2015.11.20).pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 几点说明: ① pn结的势垒电容可以等效为一个平行板电容器,势垒宽度即两平行极板的距离 ② 这里求得的势垒电容, 主要适用于反向偏置情况 ③单边突变结的势垒电容: * ≈ 四、 扩散电容 扩散电容CD —当pn结上外加电压变化，扩散区的非平衡载流子的积累相应变化所对应的电容效应. * 少子在扩散区中的分布: ?在空穴扩散区 ?在电子扩散区 * pn结的单位面积微分扩散电容为: ? 扩散电容在大的正向偏压和低频下起重要的作用. * * 定义：反向电压增大到某一值ＶＢ时，电流急剧上升。这种现象称为pn结的击穿。 相应反偏电压ＶＢ称为pn结击穿电压。 击穿是pn的本征现象，本身不具有破坏性，但是如果没有恰当的限流保护措施，pn结则会因功耗过大而被热损坏。 击穿机制： 热击穿； 隧道击穿； 雪崩击穿---常见的主要击穿机制。 6.4 pn结的击穿 * 1. 热击穿 pn结的反向扩散流由平衡少子产生： pno = ni２/ND