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GaAs单晶生长 肖龙飞 2016.10.27 砷化镓应用领域及市场 砷化镓材料分类： 高阻半绝缘 低阻半导体 金属半导体场效应管MESFET 高电子迁移率晶体管HEMT 异质结双极晶体管HBT …… 半导体发光二极管LED 太阳能电池 霍尔器件 …… 砷化镓属于III-V 族半导体，具有高速、高频、耐高温、低噪声和发光等特点，是继锗、硅之后非常重要的半导体材料之一，并且迁移率高、禁带宽度大（1.43ev）、抗辐射等特点在微波器件和高速数字电路方面得到重用应用。 砷化镓单晶生长方法 砷化镓单晶生长方法 热壁法 液体覆盖法 水平布里奇曼HB 垂直布里奇曼VB 水平梯度冷凝法HGF 垂直梯度冷凝法VGF 液封切克劳斯基LEC 全液封切克劳斯基FEC 水平布里奇曼法HB 原理：将晶体所用的材料装在一定形状的坩埚中，缓慢的在一个具有一定温度梯度的加热炉中移动，在加