硅衬底大功率GaN基LED的可靠性研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 GaN 基 LED 具有节能环保、亮度高、寿命长等特点，广泛应用于室内照明、 指示灯、显示屏、汽车工业等领域，近几年来硅衬底 GaN 基 LED 得到了广泛关 注和研究，并取得了很多重大突破，具有很大的应用价值和发展潜力。但是 由 于应用时间较短，大功率 LED 器件的可靠性成了大家比较担心的问题。因此本 文研究了硅衬底大功率 GaN 基绿光和白光 LED 的制备、老化特性和温度特性， 得出了如下结果： 1、用 MOCVD 系统制备了三组硅衬底大功率 GaN 基绿光 LED ，并在 500 mA 的电流应力下加速老化 1000 h ，研究其老化特性。结果表明，它们的电学性能 和峰值波长基本保持不变，光功率、光通量和相对 EQE 略微降低，但是老化了 1000 h 后的光功率只降低到了老化前初始值的 97.5%左右，所以这三组硅衬底大 功率 GaN 基绿光 LED 在大电流老化下性能稳定，说明硅衬底大功率 GaN 基绿 光 LED 的生长工艺有较大温度窗口，其器件的可靠性能满足各种应用。 2 、通过大功率蓝光 LED 与黄光荧光粉结合的方式制备了三种硅衬底 GaN 基白光 LED ：直涂荧光粉灌胶 LED 、滴荧光粉灌胶 LED 和完全荧光粉灌胶 LED ， 并在 500 mA 的电流应力下加速老化240 h ，研究其老化特性。结果表明，老化 后 LED 的光通量降低，显色指数略微升高，色温基本不变，光谱图中白光颜色 成分比例也变化不大，说明它们在大电流下工作光电性能稳定，可靠性好。 3、研究了硅衬底大功率 GaN 基绿光和白光 LED 从 297 K （室温）到447 K 过程中的温度特性。结果表明，随着温度的升高，绿光和白光 LED 的反向漏电 流增大，电压下降，光通量下降，峰值波长发生红移，光谱也随之变化；白光 LED 的电压与温度的关系系数K 值为-1.2 mV/K ；白光光谱中蓝光的比例先减小 后增大，黄光的比例先增大后减小，所以封装白光 LED 时要根据实际应用情况 对白光的参数进行设计。 关键词：硅衬底；GaN；大功率 LED ；可靠性；老化特性 I 万方数据 Abstract Abstract GaN-based LED is widely used in indoor lighting, lights, displays and automotive industry, which has many features like energy-saving and environmentally friendly, high brightness, long life, and so on. In recent years, the GaN-based LED on silicon substrate, which has great value and development potential, has received abroad widespread attention and research, and made a lot of breakthroughs. However, because