薄膜检测技术期中报告.PDF

薄膜檢測技術期中報告 實驗題目 電致螢光: (EL)太陽能晶片檢測實習 南台科技大學 機械工程系微奈米技術組 奈米四乙 指導老師：林克默 組員: 蔡宗霖 (學 楊傑 (學 蕭于傑 (學 韓先揚 (學 一、 前言 電致螢光 (EL)太陽能晶片檢測實習 在生產太陽晶片時，為了確保品質而使用的檢測方法。電致發光這個檢測方 法可以快速檢測出材料的缺陷。包括了瑕疵、裂痕、暗點等等。並經由感測器把 圖片傳至電腦藉由分析圖像改善生產品質並提高效率。這個實驗讓我們體驗到利 用簡單的方式就能分辨出 太陽能晶片的缺陷。 二、 原理 電致螢光 (EL)太陽能晶片檢測實習 [2] 電致螢光 (英語：Electroluminescence ，簡寫EL)是指電流通過物質 時或物質處於強電場下發光的現象，在消費品生產中有時被稱為冷光。電致 發光物料的例子包括摻雜了銅和銀的硫化鋅和藍色鑽石。目前電致發光的研 究方向主要為有機材料的應用。電致發光主要可以直接將電能轉換成光能。 [3] 電致發光片是將發光粉置於兩個平板電極之間而構成的。其為夾層式結 構, 上下各有一個電極，上電極為透明導電膜（ITO膜），光從此面射出， 下電極為背電極，其材料主要為銀或碳，發光材料主要是硫化鋅（ZnS）, 當交流電壓加在兩個電極上時，電場使得（ ZnS）粒子產生激發式躍遷，從 而在每一個充放迴圈中發光,當它含有不同的啟動劑時 ,可發出不同顏色的 光。EL的亮度隨電極間的電壓、頻率的改變而變化，一般情況下隨電壓及 頻率的增加亮度也相應增加。 [1] 電致螢光（ Electro-luminescence）是檢驗太陽能晶片品質最佳方法之 一，藉由分析電致螢光的光譜或影像，可以清楚了解到晶片的高/低效率區 域、微裂縫、電極斷線及晶片匹配等資訊。電致螢光（EL）是對晶片施予外 加偏壓而使晶片釋放螢光。螢光原理是由外在能量激發下，如雷射或外加偏 壓，使得原本在價帶的電子有機會躍遷到傳導帶；因此，在原本的價帶便留 下一個電洞，而形成一個電子-電洞對。這些激發的電子會回到基態與電洞 復合（recombination），並將能量以光的形式釋放。當然也可能以熱能或其 他能量形式釋放出來 。 三、 實驗過程 電致螢光 (EL)太陽能晶片檢測實習 首先取出一片封裝好的太陽能晶片，因為封裝好的太陽能晶片正負極已經做 好了，所以在載台上做正負極底座把太陽能晶片直接安裝上去就好了，設定電流， 接著把暗箱蓋子蓋上， 等約五秒後攝影機光圈自動調整自動聚焦這時畫面漸漸 清晰。 這是封裝好的太陽能晶片，看起來形狀完整且亮度一致。 接著做比較版本，步驟同第一次但有點變化，因為這塊有瑕疵並未封裝完成， 所以電極在兩旁拉出來直接用鱷魚夾夾住就好。 第二次由攝影機拍出來的圖片可以明顯的看出來晶片上有許多裂痕，成開放狀。 做完後 學長會另存 成圖片，實驗就告一段落了。 四、 心得 EL 檢測對於晶片微裂縫的成像在測式太陽能晶片的效果我的感覺效果很棒 ， 可發現其餘光學技術無法拍攝到的裂縫缺陷。拿封裝後的太陽能晶片和有點瑕疵 的太陽能晶片做比較，會明顯的看出來晶片上有許多裂痕，成開放狀。 EL發光 強度除正比於輸入電流外，也與太陽能晶片中的缺陷有關。因為太陽能晶片中內 部缺陷區域有較低的少數載子流密度，導致較少的紅外光被激發出，使得缺陷、 損傷的部分在影像中會呈現較灰暗的部分，即太陽能電池因缺陷而導致發光效率 不佳的區域，所以由攝影機照後就會很明顯的發現到缺陷。 五、 參考資料 [1] MY數位學習課程資料 [2] 維基百科 /wiki/%E9%9B%BB%E8%87%B4%E7%99%BC%E5%85%89 [3] 四技奈米四甲-學長-電致螢光 (EL)太陽能晶片檢測實習 .tw/EshareFile/2011_12/2011_12_cdb9b723.pd f [4]車輛四乙 -學長-太陽能晶片EL 檢測實習