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第三章 固态图像传感器 概述 固态图像传感器敏感器 固态图像传感器分类及主要特性 固态图像传感器的接口和图像处理 固态图像传感器的应用 概 述 固体图像传感器简介： 图像传感器：利用光电器件的光-电转换功能，将其感光面上的光像转换为与光像成相应比例的电信号“图像”的一种功能器件。 固体图像传感器：在同一半导体衬底上布设的若干光敏单元构成的集成化、功能化的光电器件。 固体图像传感器主要有：电荷耦合器件CCD、电荷注入器件CID、戽链式器件BBD、金属-氧化物-半导体器件MOS、位置传感器PSD。 概 述 固体图像传感器发展过程： 1970年由美国贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith提出，三十多年来由于CCD图像传感器技术研究的迅速发展，CCD器件在像素集成度、分辨率、灵敏度、工作速度等指标上取得了突破性进展，CCD以它无可比拟的优点，日渐成为现代光电技术和现代测试技术领域中最有发展前途的技术手段之一。 20世纪70年代初，随着MOS技术的成熟，三种典型的固体图像传感器——CCD、CID、PSD（光敏二极管阵列）得到了飞速发展，其中CCD发展最为迅速，到90年代初，CCD技术已经比较成熟，并得到了非常广泛的应用。 80年代中期MOS技术逐渐成熟，90年代初期采用标准MOS技术生产实用的像元尺寸质量高的固体图像传感器，可以在一个像元内集成多个晶体管，采用MOS技术可以将图像传感器阵列、驱动和控制电路、信号处理电路、模/数转换器、全数字接口电路完全集成在一起，从而实现单芯片成像系统。功耗仅为几十毫瓦。 目前CMOS固体图像传感器已在大多数领域中取代CCD，成为应用数量最多的图像传感器 概 述 固体图像传感器的特点： 由于是一种固体器件，体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、寿命长； 图像失真度极小，尺寸重现性好。非常适合测试技术及图像识别技术； 具有较高的空间分辨率，光敏元间距的几何尺寸精度高，可获得较高的定位精度； 具有较高的光电灵敏度和较大的动态范围。 相对于MOS，CCD功耗大、驱动时序较复杂、难以实现单片集成。而MOS灵敏度低、选址脉冲会混进信号形成脉冲噪声。 固态图像传感器敏感器 PSD器件工作原理 CCD基本工作原理 MOS器件工作原理 CID电荷注入器件工作原理 固态图像传感器敏感器 PSD器件工作原理Position Sensitive Detector（or Photo Sensing Device） 线性PSD 固态图像传感器敏感器 PSD器件工作原理 线性PSD 固态图像传感器敏感器 PSD器件工作原理 二维PSD 固态图像传感器敏感器 PSD器件工作原理 二维PSD 固态图像传感器敏感器 电荷耦合器件（Charge Couple Device, 缩写为CCD） 体积小，结构紧凑，分辨率高。 像元尺寸4μm左右。 高灵敏度，低噪音。其量子效率达90%以上，电子转移效率几乎达100%，低温下工作几乎无暗电流。 带图像增强器的CCD(ICCD)可在10-6lux（人眼能看到1Lux）照度下工作。光动态范围可达10个数量级。 光谱范围宽，功耗小，仅几十毫瓦；几何尺寸稳定，耐过度曝光。 固态图像传感器敏感器 CCD基本工作原理 CCD有两种类型： 表面信道电荷耦合器件SCCD 体向信道电荷耦合器件BCCD CCD是以阵列形式排列在衬底材料上的金属－氧化物－半导体（Metal Oxide Semiconductor，简称MOS）电容器组成的 具有光生电荷、积蓄和转移的功能。 固态图像传感器敏感器 CCD基本工作原理 电荷存储和光信号注入 MOS是CCD的基本结构（以P型衬底MOS结构为例） 如果在栅极上施加一个幅值大于该MOS结构阈值电压的正脉冲，半导体表面将处于深耗尽状态。在半导体表面形成电子势阱。半导体表面相对于体内的电势差称为势阱深度。 固态图像传感器敏感器 CCD基本工作原理 电荷存储和光信号注入 势阱可以存储少数载流子（在P型衬底情况下少数载流子是电子），势阱越深能存储的电荷越多。 势阱形成反型层需要一定的时间，CCD就利用达到热平衡前的弛豫时间工作。 固态图像传感器敏感器 CCD基本工作原理 电荷存储和光信号注入 器件受光照射时，光被半导体吸收，产生电子－空穴对，少数载流子被收集到较深的势阱中。光照越强，势阱中收集到的电荷越多。存储电荷多少正比于照射的光强。 正面照射：电极用透明导电材料或开光孔。 背面照射：将衬底减薄，光从衬底射入 固态图像传感器敏感器 CCD基本工作原理 电荷转移（藕荷） 彼此在有一定相位差的时钟脉冲下，使相邻电极下（MOS单元）耗尽区在某些时刻相通，即可实现电荷的耦合与转移。驱动脉冲有二相、三相等，相应的称为二相CCD和三相CCD。 固态图像传感