具有超晶格应力调制结构的绿光ingan／gan多量子阱的 - 发光学报.pdfVIP

第３２卷　第１１期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３２ Ｎｏ１１ ２０１１年１１月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｎｏｖ．，２０１１ 文章编号：１０００７０３２（２０１１）１１１１５２０７ 具有超晶格应力调制结构的 绿光ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱的发光特性 １ １ １ １ 王小丽 ，王文新 ，江　洋 ，马紫光 ， １ １ ２ １ 崔彦翔 ，贾海强 ，宋　京 ，陈　弘 （１．中国科学院物理研究所 清洁能源前沿研究重点实验室，北京　１００１９０； ２．天津中环新光科技有限公司，天津　３００３８５） 摘要：研究了具有ＩｎＧａＮ／ＧａＮ超晶格（ＳＬ）插入结构的绿光ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱（ＭＱＷ）的发光特性。结构 测试表明，ＳＬ插入结构并没有引起ＭＱＷ中平均Ｉｎ组份的增加，而是改变了Ｉｎ组份的分布，形成了高Ｉｎ组份 的量子点和低Ｉｎ组份量子阱。其电致发光（ＥＬ）谱和光致发光（ＰＬ）谱均出现了双发光峰。我们认为这两个 峰分别来自于量子点和量子阱，且存在着载流子从阱向点转移的输运机制。最后变温ＰＬ积分强度的Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ拟 合表明，ＳＬ插入结构并没有在ＭＱＷ中引入新的缺陷，使其发光效率下降。 关　键　词：ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱；超晶格；电致发光；光致发光 中图分类号：Ｏ４８２．３１　　　ＰＡＣＳ：７８．６０．Ｆｉ；７８．５５．ｍ　　　ＰＡＣＣ：７８６０Ｆ；７８５５　　　文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ１１５２ ＭＱＷ和ｎＧａＮ层之间引入了插入层来部分释放 １　引　　言 ＭＱＷ中的ＩｎＧａＮ层的压应力，实现长波长发射 近年来，作为ＧａＮ基发光二极管（ＬＥＤ）有源 或者提高发光效率。这种应力调制结构通常采用 区的ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱（ＭＱＷ）得到了广泛的 两种类型的材料结构，ＩｎＧａＮ单层插入结构和 研究［１３］，并且ＩｎＧａＮ基蓝光 ＬＥＤ在商业上已取 ＩｎＧａＮ／ＧａＮ超晶格（Ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ，ＳＬ）插入结构。 得了巨大成功。但是 ＩｎＮ与 ＧａＮ之间存在着很 其中ＩｎＧａＮ单层插入结构又分为应变和弛豫两 大的晶格失配（约为 １１％），导致 ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量 种。对于应变的ＩｎＧａＮ插入层来说，它可以插在 子阱中存在着很大的压应力。一方面，压应力会 蓝光 ＭＱＷ 下，以减小阱中的应力，从而减小 ［４］ ［７］ 产生压电极化电场 ，引起能带的倾斜，使电子 ＱＣＳＥ效应，提高内量子效率 ；或者减小绿光 和空穴波函数的交叠减少，造成内量子效率的下 ＭＱＷ中的应力，促使Ｉｎ的合并，在不降低发光效 ［５６］ ［８９］ 降，即所谓的量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ） ； 率的同时，增加发光波长 。由于弛豫的ＩｎＧａＮ 另一方面，压应力会影响量子阱中Ｉｎ的有效合 插入结构可以促使 ＩｎＧａＮ量子阱中发生Ｉｎ组份 并，使其难以形成晶体质量良好的高Ｉｎ组份的量 的相分离，在ＭＱＷ下插入弛豫的ＩｎＧａＮ层，可以