基于VO2相变可调制的复合结构异向介质的研究.pdfVIP

第 38卷 第 l期 江西师范大学学报(自然科学版) V0l_38No．1 2014年 1月 JournalofJiangxiNormalUniversity(NaturalScience) Jan．2014 文章编号：1000-5862(2014)01-0078-05 基于VO2相变可调制的复合结构异 向介质的研究 余 萍，熊狂炜 (华东交通大学基础学院物理系，江西 南昌 330013) 摘要 ：设计了一种新颖的太赫兹频段的复合结构异向介质，并用仿真软件对其进行模拟研究．当十字叉 结构有效长度发生改变时，复合异向介质的谐振频率也发生改变．这种改变是由于连在十字叉4个顶点 的二氧化钒 (VO)薄膜桥的金属一绝缘相变导致 的结果．模拟结果表明：该复合结构产生的双带谐振，而 且这种结构的复合异向介质具有可调制性、频率灵敏性、容易制作和无偏振等特点． 关键词：复合异向介质；二氧化钒；太赫兹调制 中图分类号：TB34 文献标志码：A 兹调制和开关方面有较强的应用价值．V0相变不 0 引言 仅可以用光和电激励，热方式也可以．体材料的VO： 在68℃左右，能发生从绝缘相到金属相的转变，而 异向介质最早是由苏联科学家 V．G．Veselag于 且这种转变是可逆的．研究者们通过 VO薄膜与异 1968年提出…，当电磁波在这种介质中传播时会表 向介质的组合，已经成功研制出了太赫兹开关和调 现出与传统媒质不同的 “异向”效应与 “奇异”特 制器 15-21]． 性 ，能适合不同波段的需要，从而引起研究者的 本文设计了一个新颖的复合结构的异向介质： 较大兴趣．近年来，世界各地的科研小组分别研制出 闭合的方形环中镶嵌 1个十字叉结构．因此这种结 ． 在太赫兹频段上呈现的负磁导率现象的异向介质材 构有2种调制频率，低频处的谐振是有方形闭合环 料．该异向介质在解决太赫兹 (THz)技术难题方面 产生的，而高频处的谐振 由经典的十字叉结构带来． 有着巨大的应用潜力，可以作为THz的调制器、吸 VO薄膜桥位于十字叉4个顶点处，当发生相变时， 收器、滤波器等． 十字叉结构的有效长度发生改变，因此导致谐振频 异向介质是一种新型的人工合成材料 ，由能发 率发生改变，从而达到一种主动调制的效果． 生电磁谐振的金属结构单元组成，其结构单元的形 状和尺寸一旦固定，谐振频率很难进行改变．因此在 1 设计和模拟 这种尺寸固定的情况下想要调制其谐振频率，可以 在掺杂的半导体基底上或者将半导体载流子引入电 图l(a)为设计的单元结构示意图，其中灰色部 磁结构中，结合电或光激励改变电磁谐振的电容或 分代表金属，方形闭合环和十字叉结构厚度都设为 电感来实现，如ChenHoutong等 在超材料太赫兹 200nm；深灰色部分为VO：薄膜，在十字叉4个顶点 调制方向做出了创新性的贡献，近年来有较多关于 处，厚度也设为 200nm；图1(b)为模拟结构透视 太赫兹波段异向介质谐振主动调制的研究 引． 图，白色部分是金属，灰黑色部分为背景衬底，该衬 在这些主动调制中，二氧化钒 (VO)材料有着 底在太赫兹波段几乎透明，能量损耗可以忽略，这里 极大的优势．研究者发现 VO薄膜具有皮秒量级的 设定背景材料为蓝宝石，其厚度设为380 m．复合 绝缘一金属相变特性，如果利用光激发方式，相变速