单管放大电路故障诊断分析.pdfVIP

基础电路入 门 单 级 晶体 管放 大 电路 故 障诊 断分 析 方法 。周晓光编译 一 、 概述 Vb= (Rl+R2))×R2， 我们以一个典型的单级晶体管放大电路为例，介绍一下单 另一方面，发射极电压V 由下式决定： 级晶体管放大电路故障诊断分析方法。如图l所示，该电路由电 V V旷VBE。 阻、电容、晶体管等8个电子元器件构成。电阻故障可以分为高 其中，V既是基极和发射极之间的正向偏压，硅晶体管的典 阻或断路故障；电容故障可以分为断路和短路故障；晶体管故障 型值是0．7V左右。此时的发射极电流为：IE=Vz／R4。 可以分为晶体管各引脚之间的短路故障或是断路故障。由此可 基极电流和集电极电流相比可以忽略，即Ir~-I。集电极直 以看出至少有12种故障的可能性，对应有12种不同的故障状 流电压V 由下式决定：Vc=V IcR，。在这里由于V被偏置分压 态表现形式。 电路固定保持不变，流过晶体管的直流电流不变，因此，集电极 如图l所示典型的单级晶体管放大电路中，流过晶体管的 直流电压V保持不变。 平均电流随着输入信号的变化增加或者减少，集电极负载电阻 我们再考虑一下该电路中串联负反馈的效果。 R3两端电压的变化反映了集电极电流的变化。为了保证晶体管 当集电极电流增加时一一集电极电压Vcl发射极电流If 一 放大电路的交流输出不失真，集电极直流工作电压(即集电极和 一发射极电压Vf。但是，基极电压V是由分压器确定，发射 地之间的直流电压)应当和交流输出信号的最大幅值相等，大致 极电压V增大使得晶体管的基极和发射极之间的电压降低，进 而使得集电极电流降低。这样，就使得晶体管集电极电压稳定在 静态工作点。 4 为了保证单级晶体管放大电路的静态工作点不受其他直流 电路电压的影响，同时还要传递交流输入／输出信号，在电路中 必须要接入交流耦合电容C。和C：。在低频放大电路中，为了实 现隔直流通交流的目的，C。和C：的电容值要选的大一些 (例如 一2COV3uLf1盘—．F。1一奄【Vc+2V1 OV 图 I 10~F)。 交流旁路电容C，的作用是提供交流放大信号通路，避免因 为直流供电电压Vcc的1／2。电阻元件R。、Rz、凡构成偏置电路， 发射极电阻凡降低电路的交流放大倍数。由于基极和发射极之 并且保证静态工作点电压稳定。在单级晶体管放大电路中，多种 间发射结阻抗很低，电容器C，的电容值必须要选的大一些(例 因素都会引起静态工作点电压的变化，为了保证电路正常工作， 如100~F)。 静态工作点电压的稳定是非常重要的。 图l所示的电路中，当电路的电流放大系数很大，并且基极 硅三极管构成的单级晶体管放大电路中，影响电路稳定性 电流可以忽略不计时，电路的直流偏置电压可以用如下公式计 的最主要的因素是晶体管电流放大倍数hFE的变化。即使是同 算： 一 型号的晶体管，电流放大倍数hFE的数值可能会在50至50o VB： (RI+R2))xR