无催化脉冲激光沉积方法制备氧化锌纳米棒阵列.pdfVIP

工业技术 INDUSTRY TECHNOLOGY 无 催 化 脉 冲 激 光 沉 积 方 法 制 备 氧 化 锌 纳 米 棒 阵 列 大连交通大学信息工程学院 张 凤 张喜林 近年来，半导体 纳米结构 因其在先进 器件等方面存在广阔 抽至 10~3Pa ，经过氧气净化装置处理后的干燥氧气通入生长室， 的应用前 景，而成为国内外纳米领域人们关注的又 一热点。其 流量为35SCCM （标准：立方厘米每分钟），生长室压强升至 100Pa 中，Zn O纳米阵列结构被认为是其中最具有应用前景之一。ZnO 并在实验过程中维持此压强。保持衬底温度为300 ℃，在InP 衬 是一种宽禁带直接带隙II- IV 族半导体材料，室温下禁带宽度为 底上预沉积一层厚度大 约 100nm 的Zn O 薄膜作为缓冲层。之后 3.37eV，具有较 大的激子束缚 能 （60meV），它具有 良好的压 电性 升高衬底温度，维持衬底温度在4 50 ℃，且其 他条件 不变，生长 和生物适合性，可用于机 电耦合传感器和生物医药领域。而且， 90min 后整个系统 自然降至室温 取出样品。可以看到一层 白色 制备ZnO 纳米结构的技术较多，如化学气相沉积 （CVD）、金属有 的产物沉积在衬底表面。 机化学气相沉积 （MOCVD）、热蒸发 、分子束外延 （MBE）、脉冲激 分别采用 扫描 电子显微 镜 （SEM），X 射线衍射 （XRD），光致 光沉积 （PLD）等。因此，ZnO 纳米结构成为众多研究者关注的焦 发光谱 （PL）表征制备出的Zn O样品的形貌、晶体结构和光学性质。 点，许多研究人员通过不 同制备技术 得到了形貌各异的Zn O纳 二、实验结果 米结构。Wang 等人采用固相- 气相热升华方法制备出多种形貌 图 1 是Zn O 样品 的表 面形貌 图。 图1 （a）是 ZnO 缓冲 层的 的Zn O纳米结构。对于合成Zn O纳米结构，此方法是应用最为 SEM 图，从图中可以看出在衬底上形成了均匀的Zn O缓冲层，由 广泛的方 法，通 常采用金属 u ，Co，Cu 等作为催化剂，但同时也 于Zn O和InP 衬底之间的晶格适配较大，因此在衬底表面形成小 引入杂质。因此发展无催化技术制备Zn O纳米结构是非常重要 岛状Zn O核，对 于生长ZnO纳米棒起 到无催化作用，这是最初形 的。Vayssieres 通过无催化水 液法合 成ZnO 纳米 柱阵列和纳米 成Zn O纳米 棒的关键 。ZnO 纳米棒 的最初形貌如图1 （a）所 示， 线。Chen 等人用无催化声化学方法合成花状Zn O纳米柱。但是， 可以看 出最初的生 长方向垂直于衬底。另外 ，可 以看到纳米棒 到 目前还没有关于无催化PLD 方法制备ZnO纳米结构的报道。 只在 有小岛状 ZnO核 处形成，没有小 岛状Zn O核的地方没有形 据了解，目前没有关于采用PLD 技术在磷 化铟 （InP）衬底上 成纳米棒 ，这证明 了缓冲 层对 ZnO 纳米棒 生长 起到诱 导作 用。 制备Zn O纳米结构的报道。PLD 技术具有 产生高能粒子、低温 ZnO 缓冲 层与Zn O纳米棒之 间没有晶格 适配，因此均匀 的ZnO 下成膜 质量 高、保 持原材料 化 学计 量 比等特 点而 得 到广 泛应 缓冲层诱导生长出均匀的ZnO 纳米棒阵列。从图 1（b）中可以清 用。InP 在半导体器件生产方 面具有很多优势：易解理、导电性 楚地看到彼此分立的Zn O纳米棒沿着垂直于衬底的方向形成阵 好、抗辐射等，已被广泛应用于军事、航空、航天领域。本研究选 列，纳米 棒顶部呈 现出光滑 平整的六边形结构 。ZnO 纳米棒的 用InP （100）作为衬底