微阵列光寻址生化传感器系统性能研究1 - 电子与信息学报 - 中国 .PDFVIP

第25卷 第6期 电子 与 信 息 学 报 Vo1．25No．6 2003年 6月 JOURNALOFELECTR0NICSANDINFORMATIONTECHN0L0GY Jun．2003 微阵列光寻址生化传感器系统性能研究 韩泾鸿 梁卫 国 张 虹 陈德勇 徐 磊 (中国科学院电子学研究所 北京 100080) 摘 要 该文介绍一种基于电解质溶液一绝缘层一半导体 (EIS)结构的光、机，电一体化的微阵列光寻址 电位传感器系统 (LAPS)．文中研讨了LAPS的基本原理和微阵列光寻址电位传感器系统的制造．通过 实验证明了芯片厚度，调制频率，曲线线性度对系统性能的影响，获得多种生化参数的光寻址测试结果． 关键词 光寻址电位传感器 (LAPS)，微电子机械系统 (MEMS)，生化传感器 中图号 TP212 1引 言 光寻址电位传感器 (LAPS)是由美国加州分子器件公司 D．G．Haleman等人于 80年代末 发明的采用表面光伏 (SPV)技术的半导体敏感器件 【¨。它与离子敏场效应管 (ISFET)类似， 都是基于电解质溶液一绝缘体一半导体 (EIS)结构的敏感器件。与 ISFET所不同的是 LAPS利 用调制的红外光照射 EIS结构，选择性地激活敏感部位实现光寻址，通过检测不同光照部位对 应的敏感膜表面 电位变化引起的光 电流变化，从而实现对溶液中特定离子和生物物质浓度的检 测 。LAPS采用光寻址技术代替了导线接触，克服了以往传感器制作复杂、封装困难 以及难 以 实现阵列化等缺点。与传统的离子敏感器件相 比， LAPS具有可实现多参数测量、稳定性好、 易于封装 、检测时间短等优点。凡是过去通过 电位传感器 (如氢离子敏场效应管 H+ISFET 、 酶 FET等)来检测氧化还原反应、酶促反应，免疫反应引起的表面电位变化，现在均可 以采用 LAPS技术来实现。 目前 LAPS的研究 已取得相当大的进展，正朝着集成化、阵列化 、微型化 发展。LAPS主要应用于： (1)离子检测；(2)作为酶传感器；(3)免疫分析； (4)DNA检测； (5)细胞代谢研究。 本文研究一种用于多参数测量的微阵列 LAPS系统：以等效电路方法研讨了 LAPS的基本 原理；研制了微陈列 LAPS系统样机；分析论证了芯片厚度、调制频率、曲线线性度对系统性 能的影响，提高 了系统的性能；获得 了对多种生化参数的光寻址测试结果 。 2工作原理 图 1为 LAPS原理示意图。LAPS的工作原理可分解成 EIS结构 的半导体物理特性、LAPS 的光 电响应 、电解质与敏感膜的电化学作用三部分来分析 ，其 中 EIS结构 的LAPS芯片是 核心．它是将 MIS(金属 一绝缘层一半导体)结构的金属层去掉，绝缘层直接与电解质接触形成 EIS结构 ，但仍然可以看作 MIS结构 。在外界 电场作用下，半导体表面产生空间电荷 区的耗尽 层和反型层，同样存在 电容效应 LAPS的等效 电路 [3-5J如 图2所示。其 中 口是光电流 ，Cd、Rp分别代表半导体耗尽层 的电容和 电阻。CEL是绝缘层和溶液的总的等效电容。光 电流含有直流和交流成分。当载流子 2002—01—17收到 ， 2002—09—02改 回 国家 自然科学基金资助项目69936010) 832 电 子 与 信 息 学 报 25卷 电 哞『质溶液 敏感J膜 绝缘层 C 、 体(Si) 图 1 LAPS示意图