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信息存储的现状和未来发展 - 物理学进展
第17卷 第2期 物 理 学 进 展 . 17, . 2
V o l N o
1997年 6月 . , 1997
PRO GR E SS IN PH Y S IC S J un e
信息存储的现状和未来发展
王荫君
( 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心 北京 100080)
提 要
本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储, 硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱
动器, 它们的面存储密度的极限大致在10 2 的量级, 这主要是由存储材料性能和信息
Gb it s in
( )
存取模式 磁头或光头 的限制。为要进一步提高存储密度, 需采取类似近场光学、原子力、磁
力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储, 但要实现, 需要一段较长的时间。在
磁存储获得发展的同时, 非磁的光存储介质的应用得到了开发, 主要是 ( )
CD ROM 只读式 ,
( ) ( )
CDR 写一次 和PD 相变型 。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用, 使当今信息技术中
一重要领域——信息存储显得生气勃勃。
自从1973年美国 IBM 公司几位科学家发现了非晶态钆钴磁性薄膜具有垂直磁化和
存储特性以来, 以钆铽铁和铽铁钴为代表的稀土—过渡族合金薄膜的磁和磁光性能的研
究获得了广泛的开展。研究工作的主要内容是围绕这一类材料作为磁光盘存储应用的特
性进行。在七十年代, 磁记录的存储密度还比较低, 每平方英寸只有几兆位。那时的磁记录
介质还是涂布的磁性氧化物颗粒, 磁矫顽力低, 加上环形磁头的几何尺寸, 所以磁盘上的
道密度比较低。与此相比, 磁光盘的读写头是使用激光束, 它可以聚焦到1微米甚至更细,
磁光盘的存储密度比磁盘的存储密度要大大提高。所以, 当时把磁光盘存储技术的出现喻
为信息存储技术的一次革命。经过十多年科学家和工程技术人员的艰辛努力, 在八十年代
中日本的公司首先宣布了磁光盘和驱动器研制成功。在九○年磁光盘驱动器和磁光盘推
向了市场。初始时, 一张525英寸的磁光盘的存储容量约为650兆位。
( )
作为磁光盘信息存储应用的原理大致如下: 当垂直磁化的介质 通常在数十纳米厚
( )
受到一聚焦的激光束照射时, 被照射小区域温度升至磁性消失温度 居里温度 附近, 在去
掉激光束后, 小区域冷却过程中加一外场约300奥斯特的定向磁场。冷却过程中, 小区域回
复磁矩的取向就随外场的取向而取向。这一过程就相应于信息写入或写入后的擦除过程
( )
擦除时, 外加磁场方向和磁矩方向相反 。要注意的是, 这一外向场较介质的磁矫顽力小
得很多, 因而外磁场不会影响被激光幅照以外区域内原来磁矩的取向。磁矩沿这一垂直于
介质表面方向的两个取向即为二进位制的0和1方向。当信息读取时, 也需要一外加的聚焦
激光束, 但功率较低。利用小区域上激光反射束相对于入射束的偏振旋转方向正、负和介
质中磁矩取向有关, 并利用一套装置就能辨别出介质小区域上的磁矩取向, 从而
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