化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究 - core.pdf

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化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究 - core

第 17 卷 第 3 期 材 料 科 学 与 工 程 总第6 7 期 V o 1 1 7N o 3 M ater ia ls Scien ce En g in eer in g Sep t. 1999 文章编号: 1004793x (1999) 化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究 1 1 2 3 程 璇 , 郑玉峰 , 林昌健 , 薛 茹 (1厦门大学化学系, 2 材料科学系, 固体表面物理化学国家重点实验室, 3 厦门大学分析测试中心, 福建厦门 361005)   【摘 要】 本工作首先采用化学刻蚀法制备出各种特征的多孔硅, 然后通过扫描电镜( SEM ) 技术, 对多孔硅的表面形貌进行了表征, 并分析了多孔硅表面微结构的形成过程。 【关键词】 多孔硅; 化学刻蚀; 表面形貌; 微观结构 中图分类号:   304 1    文献标识码  TN A M orpholog ica l Stud ies of Porous Sil icon Surface Form ed By Cehm ica lly E tch in g 1 1 2 3 , - , - , CHENG Xuan ZHENG Y u f en g L IN Chan g j ian XUE Re (1. D epartm en t of Chem istry; 2. M a ter ia ls Sc ience, Sta te Key L abora tory of Phy sica l Cehm istry ; 3. , ,  361005, ) of Sol id Surfaces Cen ter f or Ana ly sis and Test ing X iam en Un iversity X iam en Ch ina 【 】  , , Abstract M o rp ho log ica l stu d ie s o f po rou s silicon su rface s fo rm ed by ch em ica lly etch ing w ere car r ied ou t. Scann ing e lect ron m icro scop y (SEM ) w a s u sed to ch aracter ize su rface featu re s o f po rou s silicon. . T h e fo rm ing p roce ss o f po rou s silicon m icro st ru ctu re s is d iscu ssed b a sed on SEM re su lt s 【 】  ;

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