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射频磁控溅射法制备zno 薄膜的发光特性
24 1 Vol24 No. 1
2003 2 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Feb. , 2003
: 1000-7032(2003) 01-0069-04
射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜的发光特性
王卿璞, 张德恒, 薛忠营, 陈寿花, 马洪磊
( , 250100)
: (002) , 300nm
, 446nm ,
,
: ZnO ; ;
: O4723 : A
, ZnO 8cm,
1 引 言
9999%50mm,
- 5
, 10 PaZnO
, ,
, 99999%
337eV, 10Pa, 0, 2, 52Pa,
60meV, , 200W, 20min,
D/ MAX-RA
X ( Cu K 0154 178nm)
[ 1~ 4]
ZnO , MBEMOCVD , Nanoscope
ZnO , A-Multimode AFM ,
MBEMOCVD , Edinburgh Analytical Instruments F900 -
, Xe ,
300nm
,
3实验结果与讨论
ZnO ,
, 1 ( a) (b)
ZnO X
[ 5,6] 2= 34296( 002) , ( FWHM)
,
042= 3612( 101)
, ZnO , ZnO , c
800 1h
c- , (002) ,
, Scherrer
, , 2173, 2717nmZnO
2 实 验 2 ( a) ( b)
ZnO JPGF-450 AFMZnO
: 2002-07-22; : 2002-11-19
: ( ; ( 2000042204)
: (1963- ) , , , ,
E-mail: wangqingpu@sdu. edu. cn, el: ( 0531) 83770
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