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工作气压对磁控溅射法制备硼碳氮薄膜结晶度的影响
第30卷 第6期 世界科技研究与发展 Vol.30 No.6
2008年12月 694-696页 WORLDSCITECHR&D Dec.2008 pp.694-696
工作气压对磁控溅射法制备硼碳氮薄膜结晶度的影响
龚恩乐 刘 镒 方之颢 于 杰
(哈尔滨工业大学深圳研究生院材料科学与工程学科部,西丽518055)
摘 要:本文用六方氮化硼和石墨靶材采用射频(频率为1356MHz)磁控溅射法沉积硼碳氮薄膜,得到的硼碳氮薄膜可用红外,
拉曼表征。工作气压从02Pa升高到60Pa。我们可以观察到工作气压可以明显的改变硼碳氮薄膜的晶体结构和结晶度。硼碳
氮薄膜的半高宽随工作气压的增加而变化并且在工作气压10Pa时得到较好结晶度的薄膜。
关键词:硼碳氮薄膜;射频磁控溅射;工作气压;结晶度;半高宽
中图分类号:TB43 文献标识码:A
EffectofTotalPressureonCrystallinityofBoronCarbonNitride
ThinFilmsDepositedbyRFMagnetronSputtering
GONGEnle LIUYi FANGZhihao YUJie
(DepartmentofMaterialsScienceandEngineering,ShenzhenGraduateSchool,HarbinInstituteofTechnology,Xili518055)
Abstract:Boroncarbonnitride(BCN)thinfilmsweredepositedonsiliconsubstratesbyradiofrequency(1356MHz)magnetronsputtering
fromhexagonalboronnitride(hBN)andgraphitetargets.DepositedBCNthinfilmswerecharacterizedbyFouriertransforminfraredspec
troscopy(FTIR),Ramanspectroscopy(RS).Thegrowthtotalpressurerangedfrom02to60Pa.Thedepositiontotalpressurewasob
servedtohavesignificanteffectonthecompositionandcrystallinityofBCNfilms.Fullwidthathalfmaximum(FWHM)ofBCNthinfilms
changedwiththetotalpressureincreaseandbettercrystallinitywasobservedforthinfilmspreparedat10Pa.
Keywords:BCNthinfilms;RFmagnetronsputtering;totalpressure;crystallinity;FWHM
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