L-半导体中的载流子.pptVIP

(2).平衡态下的载流子分布 将单位体积晶体中的导带在E~ E+dE之间的量子态数写为g(E)dE，g(E)为能态密度。设导带具有球形等能面， 即： 根据有关理论可知： 、EC及h为电子有效质量、导带底能量值及普朗克常数 §2 半导体中的载流子(1) 2.4 电子和空穴的统计分布 因此，在E~ E+dE之间的电子浓度dn应为 将各表达式代入上式并积分，可得： 式中ECT为导带顶。对导带中所有能级而言，E－EFKBT， 上式可写为： §2 半导体中的载流子(1) 2.4 电子和空穴的统计分布 再进行积分变换，可得导带的电子浓度为： 其中： NC被称为导带有效能级密度 同理可得价带的空穴浓度为： 其中： NV被称为价带有效能级密度 §2 半导体中的载流子(1) 2.4 电子和空穴的统计分布 N(E) F(E) n(E)和p(E) 0 0.5 1.0 (a) 能带图 (b) 态密度 (c) 费米分布函数 (d) 载流子浓度 导带 价带 §2 半导体中的载流子(1) 2.4 电子和空穴的统计分布 电中性方程： 电子占据施主能级的概率是： 空穴占据受主能级的概率是： §2 半导体中的载流子(1) 2.4 电子和空穴的统计分布 * 2.1 半导体材料简介 2.2 半导体的能带结构 2.3 本征半导体和杂质半导体2.4 电子和空穴的统计分布 §2 半导体中的载流子(1) §2 半导体中的载流子(1) 2.1 半导体材料简介 电导率为106~104 、104～10-10 、小于10-10 (?cm)-1 它们的导电性能不同， 是因为它们的能带结构不同。 导体 半导体 绝缘体 (1) 导体、半导体和绝缘体的区别 固体材料根据其导电性可以分为导体、半导体和绝缘体三类 金属___半导体___绝缘体的能带 §2 半导体中的载流子(1) 2.1 半导体材料简介 在外电场的作用下，大量共有化电子很容易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其大量共有化电子 处于可以自由移动的导带能级上。 E 导体 §2 半导体中的载流子(1) 2.1 半导体材料简介 从能级图上来看，是因为满带与空带之间 有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV）， 共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到 高能级（空带）上去。 在外电场的作用下，共有化电子很少所 以形不成电流。 的能带结构,满带与空带之间也是禁带， 但是禁带很窄（?E g 约0.1～2 eV )。 绝缘体 半导体 §2 半导体中的载流子(1) 2.1 半导体材料简介 绝缘体与半导体的击穿 当外电场非常强时，它们的价带电子还是 能越过禁带跃迁到上面的空带中的。 绝缘体 半导体 导体 §2 半导体中的载流子(1) 2.1 半导体材料简介 半导体的主要特点： 1. 在纯净的半导体中，电导率随温度的上升而指数增加； 2. 半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，在重掺杂情况下温度对半导体的影响较弱； 3. 在半导体中可以实现非均匀掺杂； 4. 光的辐照、高能电子等的注入可以影响半导体的电导率。 §2 半导体中的载流子(1) 2.1 半导体材料简介 电子导电和空穴导电： 在半导体材料中，如果共价键中的电子获得足够的能量，可以摆脱共价键的束缚而成为可以自由移动的电子。此时在原来的共价键上留下一个缺位，由于相邻共价键上的电子随时可以跳过来填补这个缺位，从而使缺位转移到相邻的共价键上，即可以认为缺位也是可以自由移动的。这种可以自由移动的缺位称为空穴。 半导体就是靠电子和空穴的移动而导电的。这些电子和空穴通称为载流子。 §2 半导体中的载流子(1) 2.1 半导体材料简介 半导体材料分类： 1. 元素半导体材料 Si， Ge， Se 2. 化合物半导体材料 III-V族: GaAs, InP, GaN, InAs II-VI族: ZnS, ZnSe, CdS, HgTe IV-IV族: SiC, GeSi I-III-VI