电阻热蒸法制备Cu_2O薄膜及其光学性能.pdf

山 东 化 工 · 6 · SHAND0NGCHEMICALINDUSTRY 2015年第44卷 电阻热蒸法制备 Cu20薄膜及其光学性能 宋 扬，彭英姿，杨凌云，徐娌梅 (杭州电子科技大学 理学院应用物理系，浙江 杭州 310018) 摘要：用电阻热蒸法在玻璃基底上沉积铜薄膜，然后在空气中退火得到铜氧化物薄膜。分别用XRD、AFM、紫外一可见分光光度计 对薄膜进行表征，研究退火温度及退火时间对铜氧化物薄膜结构和光学性能的影响。结果表职140 180~C退火时可以得到纯的 Cu2O，薄膜表面颗粒大小在0．80一O．90m之间，直接禁带宽度在 1．8～2．5eV之间。 关键词：Cu20；热退火；XRD；AFM；吸收谱 中图分类号：TB383 文献标识码：A 文章编号：1008—021X(2015)07—0006—04 PrepareofCu20 Thin-filmsbyThermalEvaporationMethodandTheirOpticalProperties Song ，PengYingzi， Lingyun，XuXingmei (DepartmentofAppliedPhysics，SchoolofScience，HangzhouDianziUmvemi~，Hangzhou 310018，China) Abstract：CopperoxidethinfilmsweresynthesizedonglasssubstratesbythermaloxidizationofCufi— l— m~whichwere preparedusingathermalevaporationmethod．XRD，AFM andUV—vis—NIR absorptionspectrawere usedtocharacterize thethinfilmsinordertostudythedependenceofthestructure,morphology andopticalprope~iesof thethinfilmson annealingtemperaturesanddurationtime．Ourexperimental resultsshow thatpureCu20Cna beobtainde at140—180~G wiht thesizerangingfrom 0．80to0．901xm．Theirdirectallowedbnadgapisof1．8～2．5eV． Keywords：Cth0；themr alnanealing；XRD；AFM；absoprtionspectra 氧化亚铜 (C％0)是少数能被可见光激发的P型氧化物 2．1 薄膜的晶体结构 半导体材料，带隙为1．9—2．1eV。Cu20无毒、制备成本低、材 图1a所示未退火薄膜和 100—240℃下退火 1h样品的 料广泛，具有特殊的性质 ，引起了全世界研究人员的关注¨]， XRD图谱。可以看出未退火薄膜的XRD图谱上在43．1。、 并被广泛地应用于很多领域 。C％0的制备方法主要包 5O．3。、74．1。有衍射峰，与标准图谱中铜的(110)、(200)及 括溶胶凝胶法 J、电化学法 J、固相法L6等。本研究使用电阻 (220)晶面的衍射峰相匹配。100℃退火时，Cu的(110)、 热蒸法制备cu薄膜，在空气中140～180℃退火时可以得到纯 (200)及 (220)晶面的衍射峰强度都很弱，这与薄膜的厚度 的Cu20，并研究昕制备薄膜的结构及光学性能。本方法制备 有关。同时36．5。处 出现一个较弱 的衍射 峰，与赤铜矿 Cu0薄膜成本低、操作简单、效率高、反应温度低。 (Cu0)的(111)晶面的衍射峰相匹配 ，说明此时已有少量 1 实验